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拠点インフラ
⺠活型共同研究体
人材育成
グリーンIT(METI)
FIRST(CAO)
新材料パワー半導体(METI)SIP（CSTI）次世代パワエレ拡充枠（METI）産業変革研究イニシアティブ(AIST)TPEC(AIST)SPEL(AIST)高温超電導実用化（NEDO）航空機電動化（NEDO）
概 要
主要成果
国家プロジェクトや連携企業との共同研究を通じて、
SiCデバイス技術、実装・応⽤技術の各種基礎技術を確⽴するとともに、社会実装を進めている。
パワエレMGの１０年間の活動と今後(2)研究成果の社会への普及
富士電機 松本工場
量産SiCデバイス技術（ダイオード、トランジスタ）
各種パッケージ技術
Ｘ線トポグラフィ装置の製品化 （(株)リガク）
拠点形成の歩みと各プロジェクトの変遷
FIRST : 最先端研究開発支援プログラムSIP : 戦略的イノベーション創造プログラムTPEC :
つくばパワーエレクトロニクスコンステーレーション
次世代パワエレ拡充枠︓次世代パワーエレクトロニクス応用システム開発の先導研究ASCOT︓つくば応用超電導コンステーレーションズ
SiC搭載ハイブリッドモジュール製品(2015年6月、富士電機)
⼩型高効率ワイヤレスEV充電装置IEEE.IFEC 2015 Final Competition
第3位入賞（大阪工業大学チーム）
東海道新幹線N700系⾞両向け搭載 SiCパワー半導体モジュール(2015年6月、富士電機)
産総研 先進パワエレ研究センター 奥村 元 [email protected]推進センター 岡田 道哉
[email protected]
補助⾦テーマ補助⾦テーマ⼀部終了 終了
SJ、溶液法
SJIGBT, 溶液法
IGBT国家プロジェクト
連携企業との共同研究 VMOSSCR活⽤（6インチ対応）SCR活⽤
（6インチ対応）
高耐熱受動部品
TPECSPEL
ASCOTTIAパワエレサマースクール
TIAパワーエレくトロニクス連携・寄附講座
6インチライン（SCR）4インチライン
GaNライン
SiC 3インチライン
国家プロジェクト
高耐圧トレンチ超高耐圧
実装 カスタムチップ
SiCデバイスの6インチ製造ラインを富士電機に構築
先導研究
24時間稼働（３交替勤務）制度設計
企業からの出向者受け入れ制度（特定集中研究専門員）
