In-Depth (Overweight)imgstock.naver.com/upload/research/industry/1431301874841.pdf · Other Korea Japan USA Taiwan China Figure 04 IDM . ... Advanced packaging 2013/09 Tsinghua

종목명 투자의견 목표가 Top-picks

삼성전자 BUY 180만원

SK하이닉스 BUY 6.2만원

동부하이텍 N/R

반도체(Overweight)중국 정부의 반도체 정책 변화, 기회와 위험은?

2014년 6월, 중국 정부의 반도체 정책 발표. 중국 반도체 업체들의 현황 및 중국 정부 정책

변화 검토를 통한 투자 아이디어 제시

Issue

1) 중국 메모리 반도체 업체들의 현황 및 메모리 반도체 진입을 위한 시나리오를 검토해

본 결과, 중국이 단기간에 메모리 산업 내에서 경쟁력을 갖출 가능성은 낮다고 판단.

반도체 업종에 대한 ‘Overweight’, top pick으로 삼성전자 추천. 2) 중국이 메모리

산업에 진출하는 과정에서 라인 건설이 수반될 것으로 예상. 국내 반도체 장비업체 중장기

적인 모멘텀 제공. 3) 중국 IC 지원 펀드의 인수 합병 대상이 되는 업체가 수혜 가능.

관심주는 동부하이텍

Pitch

•2014년 6월, 중국 정부는 공격적인 반도체 성장 목표 발표. 반도체 산업 성장률

CAGR (2014년~2020년) +20% (vs. 글로벌 반도체 산업 성장률 CAGR (2014년

~2020년) +3.9%) 및 2020년 시장점유율 33% 달성 계획

•반도체 관련 무역 적자 규모가 2003년 224억 달러에서 2013년 1,150억 달러로 대폭

증가했기 때문. 중국 IT 내수 시장 성장 및 로컬 세트 업체들의 경쟁력 강화로 중국의

반도체 소비액이 크게 늘어난 것이 원인

•이전 정책과의 가장 큰 차이점은 IC 지원 펀드가 조성되었다는 것. 현재까지 조달된 펀드

규모는 약 275억 달러, 중앙정부 약 210억 달러 및 지방 정부 약 65억 달러

•기회? 펀드에 인수 합병 대상이 되는 반도체 업체는 투자자에게 수익 창출 기회를

제공할 것. 펀드 조성 후 스태츠칩팩, 옴니비젼, ISSI, Montage Technlogy 등 4개

업체 인수. 동부하이텍 및 H3C 등은 현재 인수 제안 중

•중국이 메모리 산업에 단기간에 진출하는 것은 어렵다고 판단

1) 중국 메모리 업체는 수가 작을 뿐 아니라, 매출액 규모도 매우 작음

2) 따라서 해외 메모리 업체 인수 필요. 파산한 엘피다 혹은 대만 윈본드가 대안이 될

수 있음. 그러나 양 사 기술력은 선발 업체 대비 최소 3년 이상 뒤쳐져 있음. 따라서

주류 제품 시장 진출이 단기에 어려워 보임

3) 메모리 팹리스 업체를 인수하고 생산은 SMIC 등의 중국 파운드리가 맡는 방법.

그러나 다른 회사간의 프로세스가 효율적으로 통합되기 어려운 메모리 산업의 특성상

기존 메모리 업체를 인수하는 방식 대비 더욱 어려울 것

•중국의 메모리 반도체 산업 진출 과정에서 라인 건설 수반 예상. 국내 반도체 장비업체

들에게 중장기적 성장 모멘텀. 관심주는 원익IPS, PSK, 한미반도체

Rationale

Companies on our radar

In-Depth

반도체 진성혜☎2184-2392 � [email protected]

11 May 2015

CONTENTS03

09

18

22

4344

46

48

I. Summary & Key Chart

II. 중국 정부, 적극적인 반도체 지원 정책 수립 II-1. 2014년 6월, 공격적인 성장 목표 제시II-2. 왜 반도체인가? 무역 적자 심화II-3. 중국 반도체 산업: 팹리스와 후 공정에 집중된 구조

III. 중국 정부의 반도체 관련 정책III-1. 과거 정책 (1990~2014)III-2. 2014년 6월 중국 정부의 정책 방안 및 상세 목표

V. 중국 정부 정책 변화, 기회와 위험은?V-1. 기존 정책과의 가장 큰 차이점: IC 산업 투자 펀드가 조성되었다는 점V-2. 기회는? M&A의 대상이 되는 기업V-3. 중국, 메모리 산업 진출 가능한가?

VI. 종목별 투자의견삼성전자 (005930) _ Top-PickSK하이닉스 (000660)동부하이텍 (000990)

3 Page

In-Depth�반도체

I. Summary & Key Chart

지난 2014년 6월 중국 정부는 자국 반도체 산업에 대한 정책, “National Semiconductor Industry De-

velopment Guideline”를 새롭게 발표했다. 이 정책을 통해 중국 정부는 반도체 산업 성장률 CAGR

(2014년~2020년) +20% 및 2020년 시장점유율 33% 달성을 계획하고 있음을 밝혔다. WW 반도체 산

업 성장률 +3.9%, 2014년 중국 반도체 시장점유율이 14%라는 점을 감안하면 매우 공격적인 목표이

다. 최근 빈번하게 중국 반도체 관련 뉴스가 흘러나오는 이유이다.

중국 정부가 반도체 산업에 적극적인 이유는 너무나 간단하다. 반도체 관련 무역 적자 규모가 증가하고

있기 때문이다. 지난 몇 년간 중국 IT 내수 시장 성장 및 로컬 세트 업체들의 경쟁력 강화로 중국의 반

도체 소비액은 대폭 증가했다. 로컬 반도체 업체들의 성장도 뒤따랐지만, 소비액 증가를 넘지 못했다.

따라서 중국의 반도체 관련 적자 규모는 2003년 224억 달러에서 2013년 1,150억 달러로 증가했다.

1990년대부터 중국 정부의 반도체 산업에 지원 정책은 꾸준히 있어왔다. 1990년대 후 공정, 2000년대

파운드리, 2010년 이후 팹리스 산업이 각각 성장하는 데 정부의 지원은 밑거름이 되었다. 이에 따라 중

국 반도체 시장점유율은 2000년 2%에서 2014년 14%로 상승했다. 다만 정책의 비효율성 및 시장 비

친화적인 성격 때문에 우리의 관심을 크게 끌지 못했을 뿐이다.

이전 정책 대비 작년에 발표된 정책의 가장 두드러진 차이점은 IC 지원 펀드가 조성되었다는 것이다.

내부 경쟁력 강화만으로는 위에서 언급한 공격적인 성장 목표를 달성하기 어렵다고 판단한 듯 하다. 따

라서 풍부한 유동성을 바탕으로 해외 반도체 업체들을 인수 합병하는 방식, 즉 외부 성장 기제를 활용

하기로 결정한 것이다.

펀드는 중앙 정부 및 지방 정부가 각각 조성하고 있다. 현재까지 약 275억 달러의 자금이 조달 되었는

데, 중앙 정부 약 210억 달러 북경과 상해가 각각 약 48억 달러, 약 16억 달러를 조달했다. 북경, 상해

외에도 심천, 우한, 안휘, 산동 등의 지방 정부가 추가로 관련 펀드를 만들 계획에 있다.

중국 IC 지원 펀드의 인수 합병 대상이 되는 업체들은 투자자들에게 수익을 창출할 기회를 제공할 것

으로 판단한다. 국내 업체 중에는 동부하이텍이 예가 될 수 있다. 중국의 IC 지원 펀드 조성 이후, IC 지

원 펀드가 주체가 되어 글로벌 반도체 업체들을 인수 합병하는 것이 자주 목격되고 있다. IC 지원 펀드

조성 후 약 11개월 동안 스태츠칩팩, 옴니비젼, ISSI, Montage Technology를 인수했고 동부하이텍과

H3C의 인수 제안을 해 놓은 상태이다.


4 Page

우리의 또 다른 관심사는 중국이 메모리 반도체 산업에 진입할 수 있을지 여부이다. 당사는 단기에 중

국이 메모리 산업에 진입하기 어렵다고 판단한다.

우선 현재 중국 메모리 반도체 업체들의 수는 8개, 그 중에서 DRAM 및 NAND 사업을 영위하는 업체

는 4개로 그 수가 매우 적다. 뿐만 아니라 메모리 업체들의 매출액 규모도 최대 약 3,000억원을 넘지

못할 정도로 작다.

따라서 중국이 메모리 산업에 진입하기 위해서는 기존 메모리 업체를 인수하는 방법밖에 없다. 기 파

산한 엘피다가 신규로 설립하는 회사 혹은 대만 메모리 업체인 윈본드를 인수할 수 있다. 그러나 양 사

의 기술력이 선발 업체 대비 최소 3년 이상 뒤처져 있어 주류 제품 시장 진입에 장시간이 소요될 예정

이다.

메모리 팹리스 업체를 인수하고 SMIC 등 자국의 파운드리를 이용하는 방법도 있다. 그러나 각기 다른

회사의 프로세스가 효율적으로 통합되기 어려운 메모리 산업의 특성상 이 방법은 기존 메모리 업체를

인수하는 방식 대비 더욱 어려울 것으로 판단한다.

어떠한 방식이든 중국이 메모리 반도체 산업에 진출하기 위해서는 라인 건설이 필수적일 것이다. 이

과정에서 국내 반도체 관련 전 공정 및 후 공정 업체들의 수혜가 예상된다.

중국이 메모리 산업에 단기에 진출하기 어렵다고 판단하여 반도체 업종에 대해 ‘Overweight’의견

을 유지한다. Top pick으로 삼성전자를 추천하고, DRAM 업황이 3분기부터 회복될 것으로 전망하여

SK하이닉스에 대해서 긍정적으로 접근하기를 권한다.

5 Page


2.4

40.5

57.5

143

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2001 2003 2005 2007 2009 2011 2013 2015 2017 2019

Planned Anually Growth Rate(2014~2020): +20%

Planned Anually Growth Rate(2001~2013): +26.5%

(bn$)

Figure 012014년 6월 중국 정부 공격적 정책 발표: 반도체 CAGR(2014년~2020년)+20% 및 2020년 M/S 33% 목표

Source: CSIA, KTB투자증권

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2003 2005 2007 2009 2011 2013

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40(%)소비액

생산액

적자 규모 (소비-생산)

자급률 (RHS)

(bn$)

Figure 02중국 내수 시장 성장 및 로컬 세트 업체들 경쟁력 강화로반도체 관련 적자 규모가 확대되고 있기 때문

Source: PWC, KTB투자증권Note: 중국 내 해외 업체들의 생산액 포함

26% 32%

58%

24%

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80%

90%

100%

WW China

설계 제조 후공정

Figure 03 중국 반도체 산업은 설계 및 후 공정 중심

Source: Gartner, PWC, KTB투자증권

65%

13%

12%

47%

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3%11% 9% 8%1%

0%

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80%

90%

100%

Fabless Foundry OSAT IDM

Other Korea Japan USA Taiwan China

Figure 04IDM 경쟁력 상대적으로 약해. CPU와 메모리 경쟁력이약하기 때문

Source: Industry data, KTB투자증권

Figure 05 2014년 중국 정부의 반도체 지원 정책 (1990년~현재)

Source: 산업경제연구원, KTB투자증권

발표 정책 기관 내용

1990 908 프로젝트 - 전자 산업 및 반도체 산업 육성

1995 909 프로젝트 - IC 산업을 국가의 최고 중점 육성 산업으로 지정

2000.6 SW및 IC 산업 발전지원 국무원 - 세금 혜택, 투자우대, 설비 교체 지원, 연구개발 지원, 인력 육성 강화, 설비 국산화 장려,

지적재산권 보호

2006.2 IC 산업 11차 5개년 발전 계획 공업정보화부 - 반도체를 주요 육성 산업으로 지정

- 2010년까지 5년간 IC 매출액 CAGR +30%

- 2010년 IC총 생산량 800억개, 매출액 3,000억 위안

2011.1 SW및 IC 산업 발전지원 국무원 - 2000년 수립한 계획이 2010년 말 종료된 후 후속조치로 마련된 계획

- 조세 보조금 대상 및 보조범위, 관세, 기업 소득세, 부가가치세 등 세후 지원법 세부규정 제시

2012.2 IC 산업 12차 5개년 발전 계획 공업정보화부 - 2015년 IC 매출의 CAGR 성장률 18%

- 2015년 IC총 생산량 1,500억개, 매출액 3,300억 위안, 글로벌 IC 시장점유율 15%

2012.5 12.5 국가 전략적 신흥산업 발전계획 국무원 - 2015년 IC 설계산업 생산비중 15% 향상

- 고성능 IC 자체 개발 능력제고, 독창적 칩제조 공정기술, 첨단 후공정 기술, 핵심설비, 소재 기술

확보를 위한 R&D강화

2014.06 국가 반도체산업 발전 추진 요강 국무원 - 2020년까지 중국 반도체 산업 수준을 세계 수준으로 발전

- 2015년부터 2020년까지 CAGR +20% 성장


6 Page

Figure 062014년 6월, “National Semiconductor Industry Development Guideline”을 통해 반도체 적극 지원 나서

μm

μm


Figure 07기존 정책과 가장 큰 차이는 펀드가 조성되었다는 점,현재까지 조성된 자금은 약 275억 달러


규모 210억 달러

투자 기간 2014년~2017년

투자 방식 Equity 투자

투자 목적 - 인수 합병 및 IP 획득

- 일반적으로 발생하는 설비투자 지원

- R&D 투자

자금 배분 제조 40%, 팹리스 30%, 후 공정 30%

Figure 08 CICIIF 요약


7 Page


Figure 09 펀드 조성 후, 중국 펀드가 중심이 되어 글로벌 반도체 업체를 빈번하게 인수하고 있음

Source: KTB투자증권

일자 내용 비교

IC 펀드 조성 전 2013/07 Tsinghua Unigroup, Spreadtrum 인수 중국 업체간 통합

2013/09 Huatien, Advanced packaging 자회사 인수 중국 업체간 통합

2013/09 Tsinghua Unigroup, RDA 인수 중국 업체간 통합

2013/12 Tongfang Guoxin, Shenzhen State Microelectronics 인수 중국 업체간 통합

2014/02 SMIC, JCET와 bumping 공정 J/V 중국 업체간 전략적 제휴

IC 펀드 조성 후 2014/07 PDSTI 및 CEC, Montage Technology 인수 중국 펀드, 나스닥 상장된 중국 업체 M&A

2014/09 Intel, Tsinghua Unigroup 지분 20% 인수 해외 업체, 중국 업체에 지분 투자

2015/01 JCET 및 SMIC, 스태츠칩팩 인수 중국 펀드 및 업체, 해외 업체 M&A

2015/03 SMIC, 동부하이텍 인수 제안 중국 업체 (펀드), 해외 업체 M&A 제안

2015/03 Summitview capital, ISSI 인수 중국 펀드, 해외 업체 M&A

2015/04 Tsinghua Unigroup, H3C 인수 제안 중국 펀드, 해외 업체 M&A 제안

2015/04 동심반도체유한공사, Fidelix 지분 인수 중국 업체, 해외 업체 M&A

2015/05 Hua Capital Management, Omnivision 인수 중국 펀드, 해외 업체 M&A

0

400

800

1,200

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2,000

SMIC HH Grace Dongbu HiTek CRMicro

(mn$)

Figure 10 매출 비교 (중국 파운드리 업체들 vs. 동부하이텍)


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Dongbu HiTek CRMicro HH Grace

0.065

0.09

0.13

0.18

0.25

0.35

0.5

(μm)

Figure 11 미세공정 비교 (중국 파운드리 업체들 vs. 동부하이텍)


Figure 12 중국 메모리 반도체 관련 업체는 총 8개, IDM은 없음

IDM Fabless Foundry

Giga Device

MontageTechnology

ISSI

Fidelix

WXIC

SMIC

HuahongGrace

X



8 Page

Fabless 산동화신반도체 (SCS) Consumer DRAM (45nm 기반)

Biz. 모델 업체 주요제품

GigaDevice NOR flash

Montage Technology Memory interface

ISSI Specialty DRAM (자동차, 컨슈머 등),NOR Flash

Fidelix SRAM, NAND

Foundry SMIC NOR Flash, NAND Flash

HH Grace SRAM

WXIC NOR flash

Figure 13소규모라도 DRAM과 NAND를 생산하는 업체는 4개밖에 되지 않음

Source: Bloomberg, iSuppli, Industry data, KTB투자증권

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ISSI

GigaDevice

Montage

Fidelix

SCS

SMIC

HH Grace

WXIC

(mn$)

?

Figure 14중국 메모리 반도체 업체들의 매출액 규모는 매우 작음.가장 큰 업체 연간 매출액이 약 3,000억원


Figure 15 중국의 메모리 반도체 산업 진출 → 해외 반도체 업체 인수가 유일한 길. 그러나 기술 격차가 너무 크다

Case1

Case2

장점상대적으로 가장 쉽게 진입하는 방법 통합 및 인수 과정이 쉬움 통합 및 인수 과정이 쉬움

진입 후 내수 메모리 시장 확보 용이 IDM 모델 인수 (설계, 공정 동시 확보 가능)

단점엘피다 인력 중심의 회사 설립이 우선되어야 함 기술 경쟁력 뒤떨어져 있음 비효율적 (팹리스 업체와 SMIC 통합 필요)

기술 경쟁력 뒤떨어져 있음 제품군 변경이 선행되어야 시장 경쟁력 확보 가능 기술 경쟁력 뒤떨어져 있음

엘피다가신규 업체 설립

지분투자 지분투자

정부 지원

대만 메모리 업체

지분투자

Senario1 Senario2 Senario3

중국 펀드

중국 펀드 중국 IT업체(BOE등)

중국 펀드

메모리 팹리스(인수 후 통합)

SMIC

지분투자 지원

+


9 Page


II. 중국 정부, 적극적인 반도체 지원 정책 수립 II-1. 2014년 6월, 공격적인 성장 목표 제시

반도체 산업 육성을 위한 중국 정부의 행보가 빨라지고 있는 듯하다. 연일 중국 반도체 산업과 관련된

뉴스들이 나오고 있는 걸 보면 말이다. 우리는 지난 5~6년간 중국 정부의 지원을 등에 업고 중국 LCD

산업이 빠른 속도로 성장하는 것을 이미 지켜보았다. 중국 정부의 적극적 반도체 산업 지원 기조가 기

존의 반도체 업체들에게 위협으로 다가오는 것은 너무 당연한 일이다.

지난 2014년 6월 중국 정부는 로컬 반도체 업체들에 대한 지원 정책인“National guideline for the de-

velopment and promotion of the IC industry”를 발표했다. 중국 정부는 이 정책을 통해 중국 IC 매출

액을 2015년 575억 달러에서 2020년 1,430억 달러로, 2014년~2020년 CAGR +20% 성장시킬 계획

임을 밝혔다. 같은 기간 WW 반도체 매출액 성장률이 CAGR +3.9%인 것과 비교하면 매우 공격적인

수치임을 알 수 있다. 중국 정부가 목표로 한 성장률을 달성하게 된다면 중국 반도체 시장점유율은

2014년 14%에서 2020년 33%까지 증가하게 된다. 중국 반도체에 시선이 집중되는 이유다.

Figure 16 중국 반도체 성장률: CAGR (2014년~2020년) +20%

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Planned Anually Growth Rate(2014~2020): +20%

Planned Anually Growth Rate(2001~2013): +26.5%

(bn$)


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2001~2013 2014~2020

WW Semi. China IC

Figure 17 반도체 시장 CAGR 성장률 비교 (매출 기준)

Source: CSIA, Gartner, KTB투자증권

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2019

China IC/WW Semi.

Figure 18 중국 반도체 시장점유율 목표

Source: CSIA, Gartner, KTB투자증권


10 Page

II-2. 왜 반도체인가? 무역 적자 심화

중국 정부가 반도체 산업 육성에 적극적인 이유는 중국의 반도체 수입액이 증가하고 있기 때문이다.

2013년 반도체 수입액은 1,150억 달러로 2003년 224억 달러 대비 무려 약 5.2배 수준으로 늘어났다.

중국 정부 입장에서는 달가울 리 없는 일이다. (주. 반도체 수입액 = 반도체 소비액 –반도체 생산액, 반

도체 생산액은 중국 내 반도체 업체 기준의 생산액으로 해외 투자 업체들의 생산액을 포함하고 있음)

IT 내수 시장 성장과 로컬 세트 업체들의 시장점유율 증가로 중국의 반도체 소비액은 지속 증가했다.

2013년 중국 반도체 소비액은 1,808억 달러로 2003년 307억 달러 대비 1,501억 달러나 증가했다. WW

내 중국 반도체 소비 비중도 2003년 약 15%에서 2013년 약 59%로 대폭 늘어났다.

다른 산업도 그렇겠지만 지난 몇 년간 중국 IT 산업은 두드러진 성장세를 보였다. 내수 소비시장 성장

은 물론 중국 로컬 IT 업체들의 경쟁력 강화라는 양쪽 측면에서 말이다. WW 내 중국 PC 시장 점유율

은 2004년 10.2%에서 2014년 20.8%로, 중국 로컬 PC 업체들의 시장점유율은 같은 기간에 4.2%에서

20.8%로 증가했다. 동일 기간 동안 WW 내 중국 핸드셋 시장 점유율은 12.7%에서 24.2%로, 중국 로

컬 핸드셋 업체들의 시장점유율은 0.3%에서 19.9%로 늘어났다. 서버도 PC 및 핸드셋과 유사하다.

물론 중국의 반도체도 글로벌 반도체 산업 성장률을 상회하는 성장률을 시현했다. 중국의 반도체 산업

CAGR (2003년~2013년)은 +25.3%로 WW 반도체 산업 성장률인 +6.6%를 크게 상회했다. 이에 따

라 중국 반도체 소비액 대비 생산 비중은 2003년 27%에서 2013년 36%로 증가했다. 그러나 규모 면

에서 보면 2003년 대비 2013년 중국 반도체 생산액은 575억 달러 증가하며 소비액 규모 증가인 1,501

억 달러를 크게 밑돌았다.

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China semi.

China semi. portion(RHS)

(bn$)

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Figure 19 WW 및 중국 반도체 시장 규모 및 중국 비중

Source: PWC, KTB투자증권

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30

35

40(%)소비액

생산액

적자 규모 (소비-생산)

자급률 (RHS)

(bn$)

Figure 20 중국 반도체 자급률

Source: PWC, KTB투자증권Note: 중국 내 해외 업체들의 생산액 포함

0

50

100

150

200

250

2003

2004

2005

2006

2007

2008

2009

2010

2011

2012

2013

2014

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10(%)소비액

생산액

자금율 (RHS)

(bn$)

Figure 21 중국 반도체 자급률

Source: PWC, Wall street journal, KTB투자증권

0

5

10

15

20

25 (%)

2002

2003

2004

2005

2006

2007

2008

2009

2010

2011

2012

2013

2014

PC 중국 로컬 업체들 M/S

PC 중국 시장 M/S

Figure 22 PC 시장점유율

Source: IDC, KTB투자증권

0

5

10

15

20

25

30 (%)

2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014

Handset 중국 로컬 업체들 M/S

Handset 중국 시장 M/S

Figure 23 Handset 시장점유율


0

5

10

15

20

25

30

35 (%)

2002

2003

2004

2005

2006

2007

2008

2009

2010

2011

2012

2013

2014

Server 중국 로컬 업체들 M/S

Server 중국 시장 M/S

Figure 24 Server 시장 점유율



12 Page

II-3. 중국 반도체 산업: 팹리스와 후 공정에 집중된 구조

중국의 반도체 산업 경쟁력이 강화되고 있는 추세이다. 중국 반도체 업체들의 시장점유율은 2003년

3%에서 2013년 13%로 지속 증가했다. (주: 중국에 투자한 해외 업체 매출액 포함 기준) 특히 2010년

이후 점유율 증가가 두드러지고 있다. 스마트폰과 태블릿 PC 등장 후 중국 로컬 휴대폰 업체들의 경쟁

력 강화와 맞물려 Hisilicon, Spreadtrum, Allwinner등의 AP 팹리스 업체들이 빠르게 성장했기 때문인

것으로 추정된다.

중국 반도체 산업은 주로 팹리스와 후 공정에 집중되어 있는 구조이다. WW와 중국의 Biz. 구조별 매

출 비중을 비교해 보면 잘 드러난다. 글로벌 반도체 산업은 팹리스 26%, 제조 58%, 후공정 16%의 매

출 비중을 가진다. 반면 중국 로컬 업체들의 매출 비중은 팹리스 32%, 제조 24%, 후공정 44%이다. 글

로벌 대비 중국 로컬 업체들의 제조 부문의 매출 비중이 확연히 낮은 반면 팹리스 및 후공정 매출 비중

은 높다. 중국 팹리스 및 후 공정 업체들의 시장점유율은 각각 11% 및 8%이다.

제조 산업의 비중이 낮은 것은 IDM 경쟁력이 매우 약하기 때문인 것으로 분석된다. 2013년 매출액 기

준으로 WW 내 중국 파운드리 시장점유율은 9%이다. 팹리스 및 후 공정 시장점유율과 유사하다. 그러

나 IDM 업체들의 시장점유율은 1%로 상대적, 절대적으로 매우 낮다. IDM 방식으로 생산하는 대표적

인 반도체 제품은 CPU와 메모리이다. IDM 산업에서의 점유율이 낮다는 것은 CPU와 메모리 부분에

서의 경쟁력이 매우 낮다는 뜻이 된다.

국가별로는 미국은 팹리스와 IDM, 대만은 파운드리 및 후 공정, 한국은 IDM에 경쟁력을 가지고 있다.

WW 내 미국의 팹리스 및 IDM의 시장점유율은 65% 및 47%, 대만의 파운드리 및 후 공정 시장점유율

은 72% 및 48%, 한국의 IDM 시장점유율은 21%이다.

Figure 25 중국 내 반도체 업체들의 시장점유율 2003년 3%에서 2013년 13%로 증가

0

50

100

150

200

250

300

350

2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013

0

3

6

9

12

15(%)WW semi

China ICChina IC portion (RHS)

(bn$)


13 Page


중국 팹리스 업체

중국을 대표하는 팹리스 업체들은 주로 통신 칩 관련 업체들이다. 중국 내 팹리스 1위 업체는 Hisili-

con이다. 2013년 매출 기준 WW 내 팹리스 순위는 12위이다. Huawei의 100% 자회사로 2004년 심천

에 설립되었고, 통신 모뎀칩과 스마트폰용 AP 등이 주요 제품이다. 중국 팹리스 2위 업체는 Spread-

trum이다. 중저가 스마트폰용 AP를 주로 설계하고 있는데 AP 시장 경쟁력은 Spreadtrum이 Hisilicon

대비 훨씬 뛰어난 것으로 보인다. 2014년 스마트폰 AP 시장 내 순위는 Spreadtrum이 시장점유율 4.5%

로 4위, Hisilicon이 시장점유율 2.0%로 7위이다.

중국 로컬 스마트폰 및 태블릿PC 업체들의 경쟁력 강화가 중국 팹리스 업체들의 성장을 견인한 것으

로 분석된다. 앞서 말한 Hisilicon과 Spreadtrum의 팹리스 산업 내 순위가 지속 상승하고 있다. 또한 50

위권 내에 진입해 있는 팹리스 업체가 2009년 1개에서 2014년에는 9개로 증가했다. 이는 중국 로컬

스마트폰 및 태블릿 PC 업체들이 자국 팹리스 업체들의 AP를 탑재하고 있기 때문이다.

26% 32%

58%

24%

16%

44%

0%

10%

20%

30%

40%

50%

60%

70%

80%

90%

100%

WW China

설계 제조 후공정

Figure 26 중국 Biz. 모델에 따른 반도체 매출 비중(2013년 기준)


65%

13%

12%

47%

21%

17%

72%

48%

3%11% 9% 8%1%

0%

10%

20%

30%

40%

50%

60%

70%

80%

90%

100%

Fabless Foundry OSAT IDM

Other Korea Japan USA Taiwan China

Figure 27 국가별 Biz. 모델에 따른 반도체 매출 비중(2013년 기준)


0%

10%

20%

30%

40%

50%

60%

2009 2010 2011 2012 2013 2014

Qualcomm Samsung Apple

MediaTek Spreadtrum HiSiliconOther

Figure 28 스마트폰용 AP 시장 점유율


0%

10%

20%

30%

40%

50%

60%

70%

80%

90%

2010 2011 2012 2013 2014

Apple Samsung

Qualcomm MediaTek

China Other

Figure 29 태블릿 PC용 AP 시장점유율



14 Page

Figure 30 2013년 팹리스 업체 순위 (단위: mn$)

Source: IC insights, KTB투자증권

Rank Company Headquarter Revenue M/S YoY

2013 2012 2011 2010 2009 20131 1 Qualcomm 미국 7,211 10.0% 31.0%2 2 Broadcom 미국 8,219 11.4% 5.0%3 3 AMD 미국 5,229 7.3% -2.0%4 5 MediaTek 대만 4,587 6.4% 36.0%5 4 Nvidia 미국 3,898 5.4% -2.0%6 6 Marvell 미국 3,352 4.6% 7.0%7 7 LSI 미국 2,370 3.3% -5.0%8 8 Xilinx 미국 2,297 3.2% 5.0%9 9 Altera 미국 1,732 2.4% -3.0%

10 10 Avago 싱가포르 1,619 2.2% 9.0%11 12 Novatek 대만 1,398 1.9% 11.0%12 13 16 17 17 Hisilicon 중국 1,353 1.9% 15.0%13 11 Mstar 대만 1,136 1.6% -11.0%14 18 17 27 67 Spreadtrum 중국 1,070 1.5% 48.0%15 14 CSR 유럽 961 1.3% -6.0%16 15 Realtek 대만 951 1.3% 14.0%17 16 Dialog 유럽 903 1.3% 17.0%18 19 Cirrus logic 미국 772 1.1% 8.0%19 17 Himax 대만 771 1.1% 5.0%20 21 Silicon Labs 미국 580 0.8% 3.0%21 22 Megachips 일본 577 0.8% 4.0%22 24 Semetech 미국 555 0.8% 7.0%23 23 PMC-Sierra 미국 508 0.7% -4.0%24 25 IDT 미국 475 0.7% -4.0%25 26 Microsemi 미국 433 0.6% -4.0%

Top 25 Total 56,459 78% 12%Other Total 15,650 22% -5%

Total Fabless 72,109 100% 8%

0

5

10

15

20

25

Qualcomm

Samsung

MediaTek

Marvell

Spreadtrum

NVIDIA

Freescale

HiSilicon

Others

($)

Figure 31 스마트폰용 AP 업체별 가격 비교


HiSilicon

HiSiliconSpreadtrumDatangNaris Smart ChipCIDCZTERockchipRDAAllwinner

(개)

Figure 32 50위 팹리스 업체 내 중국 업체 수 증가


15 Page


중국 파운드리 업체

중국의 대표 파운드리 업체는 WW 파운드리 4위 업체인 SMIC이다. 오랫동안 중국 정부의 전폭적인 지

원을 받아오고 있다. 그러나 정부의 지원 대비 성과는 아직 미미한 것으로 보인다. WW 시장점유율이

약 4%에 불과하다. SMIC 외에는 작은 파운드리 업체들이 다수 난립해 있다. 2위 HH Grace, 3위 CR-

Micro, 4위 Huali, 5위 WXIC, 6위 ASMC 정도가 WW 파운드리 산업 내 10위권에 이름을 올리고 있다.

중국 파운드리 산업은 2000년 초반 해외 업체들과의 협력 관계를 토대로 발전하기 시작했다. SMIC는

2002년부터 인피니언과 엘피다의 DRAM를 위탁 생산했다. ASMC는 2003년에 필립스와 8인치 라인

을 합작하여 건설했고, GSMC (HH NEC에 합병되어 HH Grace가 됨)는 2000년 대만의 포모사의 지

분 투자를 받아 설립되었다.

2000년 초반에는 중국 파운드리 업체들의 DRAM 파운드리 비중이 높았다. 2000년 초 DRAM 업체들이

업황 부진의 여파로 신규 라인을 지을 재무적인 여력이 없어 중국 파운드리 업체에 위탁 생산을 맡기기

시작했기 때문이다. 그러나 2006년 하반기부터 다시 DRAM이 다시 불황기에 진입하여 키몬다 (인피니

온에서 분사된 메모리 업체) 및 엘피다의 파운드리 부문 적자가 심해했다. 중국 파운드리 업체는 DRAM

파운드리를 중단하기 시작했고, 이에 따라 2000년대 중반을 지나며 메모리 비중이 감소했다.

2010년 이후에는 중국 AP 팹리스 업체들의 성장으로 인해 일부 수혜를 입었다. Logic 반도체 매출 비

중 및 중국 업체향 매출 비중 증가가 이를 뒷받침한다. 그러나 중국 파운드리 업체들의 미세 공정 기술

력이 글로벌 경쟁사 대비 뒤쳐져 있었기 때문에 수혜 범위는 제한적이었던 듯하다. 잘 알려진 것처럼

AP는 가장 선위 공정으로 생산하기 때문이다. 중국 파운드리 업체들의 매출액은 2011년부터 성장하

고 있으나, 오히려 시장점유율은 2007년 13.3%를 고점으로 2014년에는 8%까지 지속 하락하고 있다.

Figure 33 2014년 파운드리 업체 순위


Rank Company Headquarter 2014Revenue M/S YoY

1 TSMC 대만 24,896 60% 25%2 Globalfoundries 미국 4,365 10% 0%3 UMC 대만 4,251 10% 9%4 SMIC 중국 1,866 4% -4%5 Powerchip Technologies 대만 980 2% 9%6 TowerJazz Semiconductor 이스라엘 824 2% 63%7 Vanguard 대만 793 2% 11%8 Huahong Grace 중국 658 2% 13%9 Dongbu HiTek 한국 529 1% 19%10 LFoundry GmbH 이탈리아 399 1% 34%11 X Fab 독일 345 1% 19%12 China Resources Microelectronics 중국 318 1% 14%13 Shanghai Huali 중국 296 1% 167%14 System on Silicon Manufacturing (SSMC) 싱가포르 243 1% 8%15 Altis Semiconductor 프랑스 214 1% -14%16 Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Corporation 중국 174 0% 11%17 Advanced Semiconductor Manufacturing Corporation (ASMC) 중국 132 0% 14%18 Silterra 말레이시아 127 0% -2%19 Episil 대만 90 0% -12%20 Phenitec Semiconductor 일본 85 0% -12%21 He Jian Technologies 중국 0% -100%Total Total 41,585

(단위: mn$)


16 Page

0

2

4

6

8

10

12

14 (%)

2002 2004 2006 2008 2010 2012 2014

Figure 34 중국 업체들 파운드리 시장점유율


0

500

1,000

1,500

2,000

2,500

3,000

3,500

4,000

2001 2003 2005 2007 2009 2011 2013

Memory MicrocomponentsLogic AnalogDiscrete Other

(mn$)

Figure 35 중국 파운드리 업체 제품별 매출액 (6개사 합계 기준)


합작

합작

합작

합작

D램 생산위탁

투자

투자

Fab이전

Figure 36 중국 파운드리, 해외 업체와 협력하며 발전 시작


0%

10%

20%

30%

40%

50%

60%

70%

80%

90%

100%

2001 2003 2005 2007 2009 2011 2013

Memory Microcomponents Logic Analog Discrete Other

Figure 37 중국 파운드리 제품별 매출 비중 (6개사 합계)


0%

10%

20%

30%

40%

50%

60%

70%

80%

90%

100%

2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014

Compute Wireless Consumer Automotive Industrial

Figure 38 중국 파운드리 device별 매출 비중 (6개사 합계)


0%

10%

20%

30%

40%

50%

60%

70%

80%

90%

100%

2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014

North America Europe China Rest of Asia

Figure 39 중국 파운드리 지역별 매출 비중 (6개사 합계)


17 Page


중국 후 공정 업체

2014년 WW 내 중국 후 공정 시장점유율은 약 8%이다. 우리가 체감하는 것 대비 중국 후 공정 업체들

의 시장점유율이 낮은 이유는 중국에 다수의 해외 업체들이 진출해 있기 때문이다. 후 공정은 전 공정

대비 기술적 난이도가 낮고 노무비가 높은 산업적 특성을 가지고 있다. 상대적으로 중국의 임금 수준

이 낮다는 장점이 해외 업체들의 진출을 이끌었다. 중국에는 전 세계 후 공정 공장의 약 20%가 있다.

중국의 후 공정 1위 업체는 JCET이다. 2015년 1월 중국 후 공정 1위, WW 후 공정 6위 업체인 JCET

는 WW 후 공정 4위 업체인 Stats chippac 인수에 성공했다. 이로써 JCET는 WW 후 공정 3위 업체로

올라서게 되었다. 이 외에도 WW 후 공정 13위 업체인 Tianshui Huantian과 18위 업체인 Nantong Fu-

jitsu가 있다. 양 사는 국내 반도체 후 공정 업체인 STS 반도체와 유사한 매출액 규모를 가지고 있다.

Figure 40 2013년 후 공정 업체 순위


Rank Company Headquarter 2013

Revenue (bn$) M/S

1 ASE 대만 4.7 19%

2 Amkor 미국 3.0 12%

3 SPIL 대만 2.3 9%

4 STATS ChipPAC (2014년 JCET에 피 인수 합병) 중국 1.6 6%

5 Powertech 대만 1.3 5%

6 Jiangsu Changjiang Electronics Technology 중국 0.9 3%

7 J-Device 일본 0.8 3%

8 UTAC 대만 0.8 3%

9 ChipMOS 대만 0.7 3%

10 Chipbond 대만 0.5 2%

11 STS Semiconductor 한국 0.5 2%

12 KYEC 대만 0.4 2%

13 Tianshui Huatian Microelectronics 중국 0.4 2%

14 Carsem Semiconductor 말레이시아 0.4 1%

15 Unisem 한국 0.3 1%

16 Formosa Advanced Technologies 대만 0.3 1%

17 Walton 미국 0.3 1%

18 Nantong Fujitsu Microelectonics 중국 0.3 1%

19 AOI Electronics 일본 0.3 1%

20 Signetics 한국 0.3 1%

Others 5.2 21%

Total 25.1 100%

0%

2%

4%

6%

8%

10%

12%

14%

2006 2008 2011 2013 2015 2017

China

Figure 41 중국 후 공정 업체들 시장점유율

Source: Gartner, KTB투자증권

0% 20% 40% 60% 80% 100%

# of facilities

# of employee

Floor space

Value ofproduction

Rest of world

China

Figure 42 해외 후 공정 업체들이 중국에 다수 진출해 있음



18 Page

III. 중국 정부의 반도체 관련 정책III-1. 과거 정책 (1990~2014)

중국 정부의 반도체 지원 정책은 과거부터 있어왔다. 다만 반도체가 타 산업 대비 진입이 어렵다는 특

성상 중국 정부의 지원 정책이 효율적으로 작동하지 않았을 뿐이다. 지난 해 발표된 중국 정부의 정책

을 이야기하기 전에 과거 정책부터 미리 살펴보도록 하겠다.

1970년대 중국 정부는 철강 산업을 중점 육성했던 관계로 반도체에 대한 지원은 미미했다. 1980년대

부터 정부의 지원은 시작되었고, 가전용 저가 반도체 및 후 공정 산업에 제한적으로 이루어졌다.

1990년대에 들어서면서 중국 정부가 반도체 산업에 본격적인 관심을 기울이기 시작했다. 1991년부터

1995년까지 전자 산업과 반도체 산업을 육성하기 위한 국가 프로젝트, 908프로젝트를 진행했다. 연이

어 1996년부터 2000년까지는 직접회로(IC)산업을 국가의 최고 중점 육성 산업으로 두는 909프로젝트

를 진행했다. 이 두 개의 프로젝트를 통해 ASMC, Shougang NEC, HHNEC와 같은 파운드리 업체들이

설립되었고, 다수의 해외 업체들이 중국에 후 공정 라인을 이전하는 등의 성과를 거두었다. 그러나 관

료적인 정책 실행 및 반도체 산업에 대한 경험 미숙으로 이렇다 할 큰 성과를 거두지는 못했다는 판단

이다.

2000년 이후 최근까지 중국 정부의 주요 정책은 다음과 같다. 2000년에는 SW 및 IC 산업 발전 계획을

수립했다. 세금 혜택, 투자 지원, 인력 육성 강화 등의 지원을 골자로 하고 있다. 2006년에는 제11차 5

개년 계획을 수립했는데 반도체를 주요 산업으로 지정하고, 2010년 반도체 총 생산량은 800억개, 매

출액 3,000억 위안 (약 500억 달러), CAGR (2006년~2010년) +30% 성장을 목표로 삼았다. 2011년에

는 2000년 시행했던 SW 및 IC 산업 발전 계획을 보완한 후속 안을 발표했다. 또한 2012년에는 제12차

5개년 계획을 수립했다. CAGR (2010년~2015년) +18% 성장 및 2015년 시장점유율 15% 달성이 주

요 목표였다.

2000년대에 들어오며 중국 정부의 반도체 산업에 대한 정책은 1990년대와는 달리 시장 논리에 보다

부합하는 형태로 바뀌었다. 1) 정부가 투자한 반도체 업체를 정부 관료가 아닌 민간 경영인이 경영하

게 되었고, 2) 해외에서 고급 인력들을 직접 고용하는 것을 권장했고, 3) 정부 예산 및 은행 대출을 통

한 지원에서 정부 및 벤처 캐피털이 함께 지분을 투자하여 합작 법인을 설립할 수 있도록 자금 지원 범

위가 확대되었다. 또한 4) 목표로 하는 시장도 내수에서 해외로 확대했다.

시장 친화적인 정책의 결과로 중국 팹리스 및 파운드리 산업이 본격적으로 시작되었다. 현재 중국 반

도체 산업의 초석이 다져진 것이다. 2000년 98개이던 팹리스 업체 수는 2001년 200개, 2002년 389개,

2003년 463개로 급증했다. 2013년 팹리스 업체 수는 583개에 달하고 있다. 또한 2000년 초반에 중국

은 파운드리 산업에 막대한 투자를 집행했다. 2002년부터 2004년까지 WW 반도체 설비 투자의 약

30~35%가 중국 파운드리 업체들에 의해 이루어졌다.

19 Page


Figure 43 중국 정부의 반도체 지원 정책 (1990년~현재)

Source: 산업경제연구원, KTB투자증권

발표 정책 기관 내용

1990 908 프로젝트 - 전자 산업 및 반도체 산업 육성

1995 909 프로젝트 - IC 산업을 국가의 최고 중점 육성 산업으로 지정

2000.6 SW및 IC 산업 발전지원 국무원 - 세금 혜택, 투자우대, 설비 교체 지원, 연구개발 지원, 인력 육성 강화, 설비 국산화 장려,

지적재산권 보호

2006.2 IC 산업 11차 5개년 발전 계획 공업정보화부 - 반도체를 주요 육성 산업으로 지정

- 2010년까지 5년간 IC 매출액 CAGR +30%

- 2010년 IC총 생산량 800억개, 매출액 3,000억 위안

2011.1 SW및 IC 산업 발전지원 국무원 - 2000년 수립한 계획이 2010년 말 종료된 후 후속조치로 마련된 계획

- 조세 보조금 대상 및 보조범위, 관세, 기업 소득세, 부가가치세 등 세후 지원법 세부규정 제시

2012.2 IC 산업 12차 5개년 발전 계획 공업정보화부 - 2015년 까지 5년간 IC 매출액 CAGR +18%

- 2015년 IC총 생산량 1,500억개, 매출액 3,300억 위안, 글로벌 IC 시장점유율 15%

2012.5 12.5 국가 전략적 신흥산업 발전계획 국무원 - 2015년 IC 설계산업 생산비중 15% 향상

- 고성능 IC 자체 개발 능력제고, 독창적 칩제조 공정기술, 첨단 후공정 기술, 핵심설비, 소재 기술

확보를 위한 R&D강화

2014.06 국가 반도체산업 발전 추진 요강 국무원 - 2020년까지 중국 반도체 산업 수준을 세계 수준으로 발전

- 2014년부터 2020년까지 CAGR +20% 성장

Figure 44 2000년 이후 중국의 반도체 지원 정책은 시장 친화적으로 변화


정부 주도의 발전 (2000년 이전) 시장 주도의 발전(2000년 이후)

전략 정부 소유 혹은 정부가 합작 투자한 회사에 대해 정부 관료가 신규로 설립된 파운드리는 기술자 출신의 전문 경영인 혹은

절대적인 의사결정권 보유 외부 전문가가 경영

인력 양성 인력 양성을 위해 해외 합작사들에게 의지 해외 고급 인력을 직접 고용

내부에서 인력을 양성할 수 있는 시스템 구축

재무 정부 예산 정책 혹은 은행 대출을 통한 지원 정부와 벤처 캐피탈이 지분을 투자한 합작 회사 설립 가능

시장 내수 시장 주력 해외 시장 주력

가전 업체에 주로 사용되는 low-end 칩 생산 해외 업체들로부터 기술 이전 & 국내 기술 성숙을 기다림

기술갭 축소 해외 합작사 및 경쟁사로부터 기술 이전받아 개발 파운드리 고객들로부터 기술 이전

IP 공급업체들로부터 라이센싱 받아 자체 개발

0

100

200

300

400

500

600

700

1990

1992

1994

1996

1998

2000

2002

2004

2006

2008

2010

2012

# of IC design house in china(개)

Figure 45 중국 팹리스 업체 수


0

2,000

4,000

6,000

8,000

10,000

12,000

14,000

16,000

18,000

20022003

20042005

20062007

200820092010

20112012

20132014

0

5

10

15

20

25

30

35

40(%)WW Semi.China foundry% of china foundry (RHS)

(mn$)

Figure 46 반도체 설비투자 추이



20 Page

III-2. 2014년 6월 중국 정부의 정책 방안 및 상세 목표

글로벌 반도체 시장 참여자들의 주목을 끌고 있는 2014년 6월 발표된 정책의 상세 방안 및 목표에 대

해서 살펴보도록 하겠다.

중국 정부는 1) 투자 펀드 조성, 2) IPO 및 채권 발생 등을 통해 자금 지원, 3) 세제 혜택, 4) IC 및 소프

트웨어 강화를 위한 산업 개발 팀 조성, 5) 혁신 역량 강화, 6) 전문가 양성 및 영입, 7) 글로벌 오픈마켓

등의 방안을 수립하여 IC 산업의 발전을 도모하겠다고 밝혔다.

1) IC 투자 펀드 조성: IC 업체들을 지원하는 투자 펀드를 조성하는 것인데, 펀드 자금은 민간 기업, 금

융 기관, 사회보험사들로부터 조달한다. 조달한 자금은 현재 중국 IC 업체들의 경쟁력 강화 및 업체

간의 인수 합병 및 통합에 사용될 것이다. 더불어 지방 정부의 펀드 설립도 지원한다.

2) 금융 지원: 자금 조달이 필요한 반도체 업체들의 국내, 국외 상장을 지원한다. 중앙 은행과 시중 은

행은 차입금 조달을 원활하도록 하기 위한 다양한 상품을 개발한다.

3) 세제 혜택: ① 0.8μm이하 제품을 생산하는 업체들이 흑자를 내기 시작한 해로부터 2년 동안 세금을

면제하고, 그 후 3년간은 세금의 50%만 납부 (“2+3”)하고, ② 0.25μm이하 제품을 생산하거나 전

체 투자금액이 13억 달러를 상회하는 업체 중 영속기간이 15년 이상 된 기업을 대상으로 흑자를 내

기 시작한 해로부터 5년간 세금을 면제하고 그 후 5년간 세금의 50%만 납부 (“5+5”)한다.

4) IC 및 소프트웨어 강화를 위한 개발 팀 조성: 정책 조사를 통해 산업 발전 지원. 국 내외 판매를 위해

안전하고 신뢰할 수 있는 IC 및 소프트웨어 표준 시스템 마련

5) 혁신 역량 강화: 혁신 시스템 개발 및 지원, 연구개발 능력 강화, 지적 재산권 보호

6) 전문가 양성 및 영입: IC 산업 인력을 교육하기 위한 대학 시스템 구축. 해외 연구소와의 협력 강화

지원책 마련, 주식/인센티브 등 IC 인재들에 대한 충분한 보상 안을 마련함으로써 인력 pool 확대

위의 방안을 통해 이루고자 하는 각 분야별 상세 목표는 다음과 같다. 전반적으로 매우 공격적이다.

- 전체 반도체 매출액: 2015년 57.5bn$, 2020년 143bn$, 6년간 (2014년~2020년) CAGR +20%

- 제조 공정: 2015년 32/28나노 공정 시작, 2020년 16/14나노 공정 시작

- 설계: 2015년 일부 기술 (Mobile terminal, network communication)은 WW 1위, 그 외 제품들은

2020년까지 글로벌 선두업체 수준

- 후 공정: 2015년 mid to high-end 제품 비중 30%, 2020년 글로벌 선두 수준 기술 보유

- 재료: 2015년 12인치 웨이퍼 생산 준비, 2020년 글로벌 반도체 업체들에게 납품

- 장비: 2015년 65~45나노 사용 장비 생산. 2020년 글로벌 반도체 업체들에게 납품

21 Page


Figure 47 2014년 6월, National Semiconductor Industry Development Guideline

μm

μm



22 Page

V. 중국 정부 정책 변화, 기회와 위험은?V-1. 기존 정책과의 가장 큰 차이점: IC 산업 투자 펀드가 조성되었다는 점

작년에 발표된 정책이 이전과 가장 두드러지게 달라진 점은 바로 반도체 업체들의 통합 및 인수 합병

에 사용할 계획으로 IC 산업 투자 펀드 (National IC industry Investment Fund)를 조성했다는 점이다.

기존 중국 정부의 정책이 주로 자금 조달, 세제 혜택 등을 통해 반도체 기업 자체의 경영을 지원하는

범위에 그쳤다면, 이번 정책은 기존 방식에 인수, 합병 등 자본 시장의 기재가 더해진 것으로 보인다.

그렇다면 왜 펀드를 이용한 반도체 업체들간의 통합 및 인수 합병이라는 방법을 선택한 것일까? 2가

지 이유 때문인 것으로 추정된다. 첫째, 글로벌 경쟁력을 확보할 수 있을만큼 큰 규모를 가진 중국 로

컬 반도체 업체들을 탄생시키고 싶기 때문이다. 둘째, 풍부한 유동성을 가진 중국 정부 입장에서는 자

국의 반도체 시장점유율을 가장 효율적으로 증가시킬 수 있는 방법이기 때문이다.

중국 로컬 반도체 업체들의 규모는 글로벌 반도체 업체들 대비 작다. 상위 10개 팹리스 업체들의 매출

집중도를 비교해 보면, 중국 팹리스 상위 10개사가 중국 팹리스 매출에서 차지하는 비중은 43%로 글로

벌 팹리스 상위 10개사의 WW 팹리스 매출 내 비중인 65% 대비 낮은 것을 알 수 있다. 또한 인원 수가

100명 이하의 소규모 팹리스 업체 비중이 52%에 이른다. 중국이 반도체 산업에서 글로벌 경쟁력을 갖

추기 위해서는 로컬 반도체 업체간 통합을 통한 규모의 경제 달성이 필수적으로 선행되어야 할 것이다.

중국 정부는 이번 정책의 목표 중 하나로 반도체 시장점유율을 2014년 13%에서 2020년 33%로 증가

시키는 것을 내 걸었다. 앞서 보았듯이 현재 중국 로컬 반도체 업체들의 경쟁력은 약하다. 따라서 중국

정부는 자국 반도체 업체들에 대한 직접 투자만으로는 목표를 이루기 어렵다고 판단하고, 성장률 달성

을 위해 직접 투자를 통한 내부 성장과 인수 합병과 같은 외부 성장 방식을 동시에 취한 것으로 보인다.

0

100

200

300

400

500

600

700

2006 2009 2012 2013

>500 100-500 50-100 <50(개)

Figure 48 중국 팹리스 업체들 수 (인원 수 기준)


65%

43%

0

10

20

30

40

50

60

70

80 (%)

WW China

Figure 49 상위 팹리스 10개업체 매출 비중 (2013년 기준)


23 Page


반도체 산업을 지원하는 펀드에 대해 알아보도록 하겠다.

IC 산업 투자 펀드는 중앙 정부 펀드 (CICIIF, China Integrated Circuit Industry Investment Fund)와 지

방 정부 펀드, 기타 펀드로 나뉘어져 있다. 중앙 정부 펀드는 지방 정부의 펀드를 지원하기도 한다. 현

재까지 조성된 전체 펀드 자금 규모는 약 275억 달러 정도인 것으로 파악된다. 향후 추가 자금도 조달

될 예정이다. 현재 조달된 펀드는 매년 약 70억 달러씩 4년간에 나누어 집행될 예정이다. 물론 큰 규모

이긴 하다. 그러나 2015년 WW 반도체 설비투자금액은 약 660억 달러라는 점을 감안하면 시장이 우

려할 만큼 또 그렇게 큰 규모는 아닐 수도 있다.

중앙 정부 펀드는 MIIT (Ministry of Industry and Information Technology)의 주도로 2014년 9월부터

자금을 모집하기 시작하여 현재까지 약 210억 달러를 조달한 것으로 파악된다. 최초 펀딩에는 중국 개

발은행, 중국 담배공사, 북경 이타운 국제 투자 개발, 차이나모바일, Shanghai Guosheng등이 참여했

다. 조달된 자금은 2014년부터 2017년까지 4년에 걸쳐 1) M&A 및 IP 취득과 같은 전략적 인수 합병,

2) 기업의 (일상적으로 이루어지는) 설비투자 지원, 3) R&D 투자 프로젝트 등에 사용될 계획이다. 산업

별로는 제조 40%, 설계 30%, 후 공정 30%로 배분될 예정이다.

지방 정부 중에는 상해와 북경이 가장 적극적인 행보를 취하고 있다. 북경은 2014년 6월 정부가 정책

을 발표한 후 지방 정부 중 가장 먼저 펀드를 조성했다. Hua capital, CGP Investment, E-town inter-

national Industry Capital Mgt. 등이 참여하여 현재까지 48억 달러 규모의 자금을 모았다. 상해도 Sum-

mitview capital, PDSTI (Shanghai Pudong Science and Technology Investment)를 중심으로 16억 달

러의 자금 조성에 성공했다. 이 외에도 심천, 우한, 안휘, 산동 등의 지방 정부가 향후 IC 산업 투자 펀

드를 만들 계획을 가지고 있다.

규모 210억 달러

투자 기간 2014년~2017년

투자 방식 Equity 투자

투자 목적 - 인수 합병 및 IP 획득

- 일반적으로 발생하는 설비투자 지원

- R&D 투자

자금 배분 제조 40%, 팹리스 30%, 후 공정 30%

Figure 50 CICIIF 요약


10

20

30

40

50

60

70

80

2012 2013 2014 2015E 2016E 2017E 2018E

Memory Non-memory(bn$)

Figure 51 2015년 반도체 설비투자금액은 660억 달러



24 Page

Figure 52 중국 정부 (중앙 정부 및 지방 정부)의 반도체 지원 펀드

Source: CSIA, MIIT, KTB투자증권

25 Page


V-2. 기회는? M&A의 대상이 되는 기업

IC 산업 투자 펀드 조성 후 중국 펀드가 해외 반도체 업체들을 인수 합병 (혹은 인수 합병을 제안)하는

것이 자주 눈에 띈다. 펀드 조성 이전에는 중국 로컬 업체들간에 합병이 주를 이루었던 것과 차이를 보

인다. 향후에도 중국은 펀드 자금을 이용하여 해외 반도체 업체를 인수 합병할 것으로 보인다. 이 과정

에서 중국 펀드의 인수 합병 대상이 되는 기업들은 투자자들에게 수익 창출 기회를 제공할 것으로 보

인다. 지난 4월 중국 반도체 업체에 피 인수된 국내 메모리 팹리스 업체인 피델릭스처럼 말이다.

기존에 중국 정부는 로컬 업체간의 인수 합병을 장려했다. 글로벌 경쟁력을 갖출 수 있을만큼 큰 규모

의 업체를 만들기 위해서였다. 국영 기업인 칭화 유니그룹 (Tsinghua Unigroup)이 2013년 7월과 9월

에 각각 팹리스 업체인 스프레드트럼과 RDA를 인수한 것이 대표적인 사례이다. 스프레드트럼은 유니

그룹에 인수된 후 중국 정부의 지원을 받으며 빠르게 성장하고 있다. 이 외에도 소재 업체인 Tongfang

Guoxin electronics (이전 Tangshan Jingyuan Yufeng Electronics Co)이 팹리스 업체인 Shenzhen State

Microelectronics를 합병하여 사업 영역을 다각화하기도 했다. 중국 내 후 공정 2위인 Tianshui Hua-

tien이 Kunshan 소재의 packging 회사를 인수하여 후 공정 시장점유율을 확대한 예도 있다.

2014년 6월 이후 중국 IC 산업 투자 펀드가 주축이 되어 해외 반도체 업체를 인수하는 경우가 자주 목

격되고 있다. 2014년 6월 이전 1년 동안 1건도 발생하지 않았으나, 이후 11개월간 5건이나 발생했다.

인수 합병은 특정 분야에 국한되지 않고 팹리스, 파운드리, 후 공정 등 전 방위적으로 진행되고 있다.

2014년 8월에는 북경 지방 펀드인 Hua capital은 옴니비젼을 16.7억 달러에 인수하겠다는 제안을 했

고, 2015년 5월 19.0억 달러에 인수를 완료했다. 옴니비젼은 나스닥에 상장되어 있는 카메라 이미지

센서를 설계하는 팹리스 업체로 소니, 삼성전자를 뒤이어 업계 3위를 차지하고 있다.

2015년 1월에는 JCET와 중국 반도체 펀드, SMIC가 각각 2.6억 달러, 1.5억 달러, 1억 달러를 투자해

스태츠칩팩의 지분 50%, 30%, 20%를 각각 확보했다. JCET과 스태츠칩팩은 글로벌 후 공정 6위 및 4

위 업체로 합병 후의 JCET의 시장점유율은 ASE, Amkor에 이어 3위로 훌쩍 뛰어오른다. IC 산업 투자

펀드를 구성 후 중앙 정부 펀드 (CICIIF)가 주도적으로 해외 업체를 인수 합병한 첫 번째 케이스이다.

3월에는 상해 지역 IC 펀드인 Summitview capital 등이 컨소시엄을 구성해 나스닥에 상장되어 있는

Specialty DRAM 설계 업체인 ISSI를 약 6.4억달러에 인수했다. 컨소시엄에는 eTown MemTek (파운드

리), Hua Capital (북경 지역 IC 펀드), Huaqing Jiye Investment Management가 포함되어 있다.

4월에는 칭화 유니그룹 (Tsinghua Unigroup)은 HP의 중국 네트워크 장비 자회사 H3C테크놀로지 인

수를 제안했다. H3C는 2003년 화웨이와 3com이 공동으로 설립한 네트워크 장비 회사로 2006년

3com으로 소유권이 넘어갔다. 이후 HP가 2010년 3Com을 27억달러에 인수하면서 HP의 자회사로

편입되었다.


26 Page

중국은 국내 파운드리 업체인 동부하이텍에도 관심을 가지고 있다. 지난해 말 동부하이텍 인수 우선협

상대상자였던 IA/에스크배리타스자산운용 컨소시엄은 인수를 포기했다. 이 후 SMIC가 매각 측과 협

상을 시작했다. 협상의 진전이 없자 일각에서는 SMIC가 인수를 포기했다는 관측이 나오기도 했다. 하

지만 최근 SMIC는 자문사를 다시 선정하고 인수 의지를 다지고 있다. SMIC는 중국 정부 및 펀드의 지

원을 받고 있는 대표 업체이다. 따라서 SMIC의 투자를 중국 정부의 투자로 해석하는 것도 가능하다.

그렇다면 중국은 왜 동부하이텍에 관심을 가지는 것일까? 동부하이텍의 매출액 및 기술력이 중국 2~3

위 파운드리 업체와 비슷하기 때문이다. 중국 2위 및 3위 파운드리 업체인 HH Grace (Huahong Grace)

와 CRMicro (China Resources Microelectronics Limited)의 2014년 매출액은 각각 6.6억달러 및 3.2억

달러이다. 같은 기간 동부하이텍의 매출액은 5.3억 달러를 기록했다 중국 3위 파운드리 업체보다 매출

규모가 크다. 미세 공정 면에서도 3위 업체인 CRMicro 대비 앞서있다. 중국 입장에서는 한 번쯤 관심

을 가져볼 만한 회사인 것이다. 인수 자금은 7,000억원~8,000억원 수준일 것으로 예상된다.

0

400

800

1,200

1,600

2,000


(mn$)

Figure 54 ‘14년 매출 비교 (중국 파운드리 업체들 vs. 동부하이텍)


0%

10%

20%

30%

40%

50%

60%

70%

80%

90%

100%


0.065

0.09

0.13

0.18

0.25

0.35

0.5

(μm)



Figure 53 최근 중국 반도체 업체 관련 M&A


일자 내용 비교

IC 펀드 조성 전 2013/07 Tsinghua Unigroup, Spreadtrum 인수 중국 업체간 통합

2013/09 Huatien, Advanced packaging 자회사 인수 중국 업체간 통합

2013/09 Tsinghua Unigroup, RDA 인수 중국 업체간 통합

2013/12 Tongfang Guoxin, Shenzhen State Microelectronics 인수 중국 업체간 통합

2014/02 SMIC, JCET와 bumping 공정 J/V 중국 업체간 전략적 제휴

IC 펀드 조성 후 2014/07 PDSTI 및 CEC, Montage Technology 인수 중국 펀드, 나스닥 상장된 중국 업체 M&A

2014/09 Intel, Tsinghua Unigroup 지분 20% 인수 해외 업체, 중국 업체에 지분 투자

2015/01 JCET 및 SMIC, 스태츠칩팩 인수 중국 펀드 및 업체, 해외 업체 M&A

2015/03 SMIC, 동부하이텍 인수 제안 중국 업체 (펀드), 해외 업체 M&A 제안

2015/03 Summitview capital, ISSI 인수 중국 펀드, 해외 업체 M&A

2015/04 Tsinghua Unigroup, H3C 인수 제안 중국 펀드, 해외 업체 M&A 제안

2015/04 동심반도체유한공사, Fidelix 지분 인수 중국 업체, 해외 업체 M&A

2015/05 Hua Capital Management, Omnivision 인수 중국 펀드, 해외 업체 M&A

27 Page


V-3. 중국, 메모리 산업 진출 가능한가?

V-3-1. 중국이 메모리 산업에 관심을 가지는 이유

지난 3월 Summitview Capital 컨소시엄이 나스닥 상장되어 있는 메모리 업체인 ISSI를 인수했다. 연이

어 4월에는 LCD 업체인 BOE가 중국 정부의 지원을 받아 메모리 반도체 시장에 진출할 것이라는 소

식도 전해졌다. LCD, 자동차, 철강 산업에서 중국 로컬 업체들의 빠른 성장을 경험한 우리에게 중국이

메모리 산업 진출을 타진하고 있다는 뉴스가 우려로 다가오는 것은 어쩌면 너무나 당연한 일이다.

중국이 메모리 산업에 진출하고 싶은 이유는 메모리 반도체 관련 적자 규모가 점점 커지고 있기 때문

이다. 스마트폰 내 메모리가 차지하는 BOM cost 비중은 20%로 매우 높다. 핸드셋 내수 시장 성장 및

로컬 스마트폰 업체의 경쟁력 강화로 중국의 반도체 소비액에서 메모리가 차지하는 비중은 2003년

16%에서 2013년 23%로 증가되었다. DRAMeXchange는 2014년 중국의 DRAM 소비 비중은 19.2%,

NAND 소비 비중은 20.6%로 추정하고 있다. 그러나 중국은 메모리를 전량 수입에 의존할 수밖에 없

다. 잘 알려져 있는 바와 같이 메모리 시장은 삼성전자, SK하이닉스, 도시바, 마이크론 4개 업체가 95%

이상을 점유하고 있기 때문이다.

스마트폰 및 태블릿 PC와 같은 모바일 기기에서 BOM cost 비중이 높은 또 하나의 반도체는 AP이다.

AP의 BOM cost 비중은 약 10%에 달한다. AP는 하이실리콘, 스프레드트럼, 올위너, 락칩 등 로컬 팹

리스 업체들을 통해 상당 부분 자국화에 성공했다.


28 Page

0% 10% 20% 30% 40% 50%

Data processing

Communication

Consumer

Automotive

Industrial etc.

2003 2013

Figure 56 중국의 반도체 device별 소비 비중 (2003 vs. 2013)


0% 10% 20% 30% 40% 50%

ASIC/ASSP

Memory

MCU

Analog

Logic

O-D-S 2003 2013

Figure 57 중국의 반도체 application별 소비 비중 (2003 vs. 2013)


0% 10% 20% 30% 40% 50%

Data processing

Communication

Consumer

Automotive

Industrial etc. WW China

Figure 58 Device별 반도체 소비 비중 (WW vs. 중국)


0% 10% 20% 30% 40%

ASIC/ASSP

Memory

MCU

Analog

Logic

O-D-SWW China

Figure 59 Application별 반도체 소비 비중 (WW vs. 중국)


0.0%

5.0%

10.0%

15.0%

20.0%

25.0%

30.0%

PC DRAM

Mobile DRAM

Server DRAM

Consumer DRAM

Graphic DRAM

Total DRAM

Figure 60 중국의 DRAM 소비 비중 (2014년 매출 비중)

Source: DRAMeXchange, KTB투자증권

0.0%

10.0%

20.0%

30.0%

40.0%

50.0%

60.0%

Smartphone

Feature phone

Enterprise SSD

Tablet PC

USB Drive

Memory Card

Total NAND

Figure 61 중국의 NAND 소비 비중 (2014년 매출 기준)


29 Page


V-3-2. 중국 메모리 반도체 업체들 현황

중국의 메모리 반도체 업체들은 그 수가 많지 않을 뿐만 아니라 규모도 매우 작다.

중국 메모리 업체 (중국 로컬 업체 혹은 중국 지분이 높은 해외 업체 모두 포함) 수는 8개 정도이다. 팹

리스 업체는 산동화신 반도체 (Shandong Huaxin semiconductor), GigaDevice, Montage Technology,

ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.), Fidelix등이 있다. 파운드리 업체로는 SMIC, HH Grace, WXIC가

있다. IDM은 현재로써는 없는 듯 하다. 그나마도 DRAM 및 NAND 관련 업체는 산동화신반도체 (SCS),

ISSI, Fidelix, SMIC 등 4개 업체밖에 되지 않는다.

중국 메모리 반도체 업체들의 매출 규모도 작다. 위 업체 중 매출액이 가장 큰 업체는 ISSI인데, 2013

년 매출액이 약 3.0억 달러에 불과하다. 그 외 나머지 업체들의 매출액은 약 1.0~1.5억 달러 수준이다.

2013년 메모리 시장 약 670억 달러, 삼성전자 및 SK하이닉스의 매출액이 각각 약 217억 달러 및 약

127억 달러 대비 매우 미미한 규모이다.

Figure 62 중국 메모리 반도체 업체 현황

IDM Fabless Foundry

Giga Device

MontageTechnology

ISSI

Fidelix

WXIC

SMIC

HuahongGrace

X



30 Page

Fabless 산동화신반도체 (SCS) Consumer DRAM (45nm 기반)

Biz. 모델 업체 주요제품

GigaDevice NOR flash

Montage Technology Memory interface

ISSI Specialty DRAM (자동차, 컨슈머 등),NOR Flash

Fidelix SRAM, NAND

Foundry SMIC NOR Flash, NAND Flash

HH Grace SRAM

WXIC NOR flash

Figure 63 중국 메모리 업체들 주요 제품 정리


0

50

100

150

200

250

300

350

ISSI

GigaDevice

Montage

Fidelix

SCS

SMIC

HH Grace

WXIC

(mn$)

?

Figure 64 중국 메모리 업체들 매출액 규모 (2013년 기준)


Figure 65 메모리 업체 순위, ISSI/GigaDevice/Fidelix 중국에 인수됨

Source: Isuppli, KTB투자증권

Rank 1Q13 2Q13 3Q13 4Q13 1Q14 2Q14 국가

1 Samsung Electronics 4,719 5,079 5,738 6,137 5,882 6,718 한국

2 Micron Technology 3,118 3,514 3,660 3,829 3,838 3,974 미국

3 SK Hynix 2,471 3,416 3,576 3,065 3,389 3,717 한국

4 SanDisk 1,238 1,387 1,535 1,629 1,417 1,545 미국

5 Toshiba 1,239 1,455 1,686 1,264 1,357 1,075 일본

6 Intel 344 371 435 470 480 465 미국

7 Nanya Technology 291 446 361 399 382 390 대만

8 Winbond Electronics 203 230 216 226 234 258 대만

9 Spansion 182 187 159 174 172 169 미국, Cypress와 합병

10 Macronix International 133 154 207 180 134 143 대만

11 Powerchip Technology 71 76 89 85 83 90 대만

12 Integrated Silicon Solution (ISSI) 73 76 76 77 80 83 미국, 중국 펀드에 인수

13 Cypress Semiconductor 77 83 85 73 76 81 미국

14 Elite Semiconductor Memory Technology 51 54 58 63 66 79 대만

15 STMicroelectronics 58 58 58 57 56 63 유럽 (스위스)

16 Etron Technology 51 59 53 58 52 52 대만

17 Renesas Electronics Corporation 51 52 55 53 48 51 일본

18 Atmel Corporation 40 39 45 42 36 40 미국

19 NXP 36 39 40 32 31 33 유럽 (네덜란드)

20 Microchip Technology 32 33 33 36 33 33 미국

21 GigaDevice Semiconductor 35 34 35 34 36 32 중국, 중국 펀드에 인수

22 Integrated Device Technology 30 33 32 32 31 30 미국

23 ROHM Semiconductor 35 36 38 38 39 29 일본

24 ON Semiconductor 18 21 23 22 20 23 미국

25 Fujitsu Semiconductor Limited 38 37 40 34 25 22 일본

26 Sitronics 20 20 25 24 24 19 동유럽

27 Fidelix 17 20 25 17 17 19 한국, 중국업체에 인수

28 Zentel Electronics 17 17 18 20 17 19 대만

29 GSI Technology 16 16 16 14 13 13 캐나다

30 Eon Silicon Solution 16 17 15 14 11 12 대만

Total Semiconductor 14,789 17,131 18,506 18,270 18,147 19,347

(단위: mn$)

31 Page


산동화신 반도체 (Shandong Huaxin semiconductor)는 2008년 3월 PC 및 서버 제조업체인 Inspur,

handong High Technology Group, 그리고 Shandong Jinan High Technology Group 3사가 J/V로 설

립한 회사이다. 2009년 2월 독일 DRAM 업체인 키몬다가 파산한 후 키몬다의 연구개발센터를 인수하

여 기술진을 유입함으로써 DRAM 설계를 시작했다. 주요 제품은 컨슈머 DRAM인 것으로 파악된다.

2011년에는 제난 (Jinan)에 패키지 라인을 투자하여 현재는 DRAM 설계 및 후 공정 사업을 영위하고

있다. 현재 기술 수준은 45nm 수준인 것으로 파악된다. (2014년 9월, 45nm 1Gb DDR3 개발 발표) 다

만 키몬다의 trench 기술을 기반으로 하고 있어 45nm 이하 공정으로 전환이 가능할지는 의문이다.

Development history

2009 Succeeded in purchasing Qimonda's China R&D Center

2010 Developed the high-speed controller chip for Solid Storage

2011 Established a high-end IC packaging and testing production line

2012 IC Industrial Park construction began in Jinan CFTZ

2013 Launched the China First Large Size OGS Touch Panel

2014 World Class Production Base began construction

Figure 66 산동화신 반도체 역사

Source: Shandong Huaxin semiconductor, KTB투자증권

Figure 67 산동화신 반도체 생산 및 판매 법인

Source: Shandong Huaxin semiconductor, KTB투자증권

GigaDevice는 2005년에 베이징에 설립된 메모리 팹리스 업체로, NOR 플래쉬를 주력으로 설계하고

있다. 글로벌 시장 내 NOR 점유율은 14%, 중국 시장 내 점유율은 약 30% 정도로 추정된다. 2013년 3

월부터는 SPI 기반의 NAND 제품을 설계하기 시작하여 2014년 NAND 매출액은 약 700억으로 성장

했다. 시장점유율 약 0.2%에 그치는 미미한 수준이긴 하지만, 영업 시작 2년만에 기록한 매출이라는

것을 감안하면 무시하기 어려운 규모이기도 하다. 2013년부터 ARM core를 이용한 MCU 생산도 시작

했다.

History

2013-04 GD32 MCU officially released2013-04 The 1st 65nm product - 1.8V SPI NOR Flash in production2013-03 The 1st WSON8 Package SPI NAND Flash product in the world in production2012-10 GigaDevice named to Eetimes Silicon 60 list2012-10 Awarded as "The Best Market Performance" by CSIP2011-12 Awarded as "The Best Market Performance" by CSIP2011-06 The 1st 1.8V product - 90nm SPI NOR Flash in production2011-02 The 1st 90nm product - 3.0V SPI NOR Flash in production2010-12 Awarded as "The Best Market Performance" by CSIP2009-11 The 1st 130nm product - 3.0V SPI NOR Flash in production2008-12 The 1st 180nm product - 3.0V SPI NOR Flash in production2008-10 The 1st SPI NOR Flash product in China starting to sample2008-09 SGS ISO9001 and ISO 14001 Certified2006-08 Low power SRAM are in production2005-08 The 1st low power 2T-SRAM was Silicon proven on SMIC platform2005-04 GigaDevice Semiconductor(Beijing) Inc. is established in Beijing

Figure 68 GigaDevice 역사

Source: GigaDevice, KTB투자증권

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

2012 2013 2014 2015E 2016E 2017E 2018E

DRAM NAND NOR Other(bn$)

Figure 69 NOR flash 시장 규모, 연간 2조원 초반



32 Page

ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.)는 나스닥에 상장된 반도체 설계 업체로 2015년 3월에 Sum-

mitview Capital이 약 6.4억 달러에 인수했다. 동사는 1988년에 대만계 창업자들에 의해 설립되었다.

설립 당시 PC DRAM용 cache 메모리를 주로 생산했다. 이후 몇몇 DRAM 설계 업체들을 인수 합병함

으로써 사업 범위를 DRAM으로 확했다. 2005년 및 2006년에 ICSI 및 Alliance semi를 인수했고, 2009

년에는 mobile DRAM 시장 진입을 위해 Enable를 추가로 인수했다. 2012년에는 Chingis를 인수하며

NOR Flash 사업도 시작했다.

2014년 매출액은 약 3.3억 달러로, 주요 제품은 Specialty DRAM이다. 2014년 제품별 매출 비중은

SRAM 26%, Specialty DRAM 64%, NOR flash 9%, 기타 2%의 비중을 차지하고 있다. Device별 매출

비중은 Auto용 47%, Industrial용 23%, Communication용 15%, Comsumer용 15%이다. 국내 메모리

업체와는 제품 믹스 측면에서 확연히 차이를 드러내고 있다.

0

100

200

300

400

500

600

2009 2014 2019E

Commodity DRAM

Flash

Analog

Specialty DRAM

SRAM

(mn$)

Figure 70 ISSI, application별 제품 매출액

Source: ISSI, KTB투자증권

Auto47%

Industrial23%

Consumer15%

Comm’s15%

Figure 71 ISSI, device별 제품 매출 비중


Figure 72 ISSI 역사

1988 1995 1998 2005 2006 2009 2012

1988.10: ISSI founded Targeted

PC cashe Solution

1998: Spun off ISCS and Flash Division

2006: Acquired Alliance Semi to

expand Sync SRAM

2012: Acquired Chingis to enter Flash markets

1995.2: IPO

2005: Acquired ICSI to

expand DRAM line

2009: Acquired Enable Semi to

expand Mobile DRAM


33 Page


Montage Technology는 셋탑박스용 반도체 및 메모리 인터페이스 반도체를 설계하는 팹리스 업체이

다. 2004년에 중국계 자본을 기반으로 설립되었다. 2013년 나스닥에 상장되었다. 2014년 6월에 중국

지방 정부가 주도하는 펀드인 PSDTI가 6.9억 달러에 인수했다. 주력 제품은 메모리 인터페이스로

2006년에 처음 시장에 진입했다. 2008년부터 삼성전자에 납품을 시작했고 현재는 인텔의 주요 공급

처 2곳 중 하나라는 점을 통해 기술 경쟁력 측면에서는 우위를 가지고 있다는 판단이 가능하다. 동사

메모리 인터페이스 매출액은 2013년 1,200만 달러에서 2014년 약 4,500만 달러 (3분기까지는 3,210

만 달러)로 대폭 증가하며 성장세를 이어가고 있는 것으로 추정된다. 메모리 인터페이스시장 규모는

연간 약 1.5~2.0억 달러 시장으로 동사의 시장점유율은 약 20%~30% 내외로 추정된다.

Figure 73 Montage Technology 역사

Source: Montage Technology, KTB투자증권

0.0

10.0

20.0

30.0

40.0

50.0

1Q12

2Q12

3Q12

4Q12

1Q13

2Q13

3Q13

4Q13

1Q14

2Q14

3Q14

STB solutions

Memory Interface

(mn$)

Figure 74 Montage Technology 매출액

Source: Montage Technology, KTB투자증권

0.0

10.0

20.0

30.0

40.0

50.0

1Q12

2Q12

3Q12

4Q12

1Q13

2Q13

3Q13

4Q13

1Q14

2Q14

3Q14

0

10

20

30

40

50(%)매출액

영업이익

영업이익률(RHS)

(mn$)

Figure 75 Montage Technology 분기별 손익 실적

Source: Bloomberg, KTB투자증권


34 Page

SMIC, HH Grace, WXIC는 메모리 파운드리 업체이다. 중국 파운드리 매출액 중 메모리 반도체 파운

드리 비중은 2007년을 기점으로 감소하고 있다. 2000년 초반 30%~40%였던 메모리 파운드리 매출

비중이 2007년 26%로 하락한 후 2008년 이후는 10% 초반에 그치고 있다. WXIC의 매출액 증가에도

불구하고 SMIC와 HH Grace의 매출액이 크게 감소했기 때문이다. 양 사의 파운드리 사업은 2000년

초반 인피니언 (키몬다의 전신)과 NEC (엘피다의 전신)의 메모리를 생산함으로써 시작되었다. 2008년

메모리 업황 부진으로 메모리 파운드리를 중단하기 시작하며 매출액이 대폭 감소했다. 이 후 2009년

2월과 2012년 2월에 키몬다와 엘피다가 각각 파산하며 파운드리 물량이 더욱 줄어든 것으로 보인다.

SMIC는 2002년 키몬다의 전신인 인피니온의 칩을 위탁 생산하며 DRAM 파운드리를 시작했다. 2003

년에는 일본 업체인 엘피다 및 도시바와 연이어 DRAM 및 SRAM 생산 계약을 체결하며 고객군을 확

대했다. 그러나 2008년 세계 경기 침체로 DRAM 업황 부진으로 관련 사업의 적자가 확대되자 그 해 키

몬다 (인피니언에서 메모리 사업부만 분사)와의 DRAM 파운드리 사업을 중단했다. 이에 따라 SMIC의

메모리향 파운드리 매출액 및 매출 비중은 2008년부터 대폭 감소했다.

DRAM과 마찬가지로 NAND 사업도 인피니언과 함께였다. 인피니언과 이스라엘 회사인 Saifun과 공

동으로 설립한 인피니언테크놀러지플래시는 2004년 NAND 개발에 성공했다. SMIC는 2007년에 90

나노 공정을 이용하여 인피니언테크놀러지가 개발한 NAND 제품을 파운드리를 했다. 물론 인피니언

의 파산으로 큰 성과는 없었다. 2014년에는 SMIC가 독자적으로 38나노 NAND 공정을 독자적으로 개

발에 성공했다. 2014년 10월 이 기술을 기반으로 피델릭스 (2015년 4월 중국 동심반도체유한공사에

피 인수 합병)의 파운드리를 시작하며 SMIC의 메모리 파운드리 매출액은 다시 증가 추세로 돌아섰다.

HH Grace는 2012년에 HH NEC와 Grace 반도체가 합병한 회사이다. HH NEC는 1998년 중국 업체

인 Huahong과 일본 업체인 NEC가 합작해서 설립한 회사이다. 1999년 팹 가동을 시작했는데 처음으

로 생산한 제품은 NEC의 64Mb DRAM 제품이었다. 1999년 기준 NEC는 DRAM 시장 내 5위 업체로

시장점유율은 약 7%였다. 2003년 NEC는 히다치와 합병하여 엘피다가 되었다. 합병을 위한 사전 통

합 기간 동안 NEC와 히다치의 시장점유율은 지속 하락했는데 이는 HH NEC 매출액에 부정적인 영향

을 미쳤다. 1999년 양 사 합계 기준으로 11.5%였던 시장점유율은 2003년에는 4%로 떨어졌다. 현재

는 0.13㎛ 및 0.11㎛ 미세 공정으로 eNVM (embedded Non Volatile Memory)를 생산하고 있다.

WXIC는 NOR 플래쉬 메모리를 주로 생산하고 있다. 2006년에 설립된 회사로 Wuhan시 정부가 출자

한 정부계 펀드 기업이다. 주요 고객사는 스펜션으로 65/45nm에 이어 32nm급 NOR 플래쉬 (2013년

8월 계약, 2014년 6월 생산 시작) 도 생산하고 있다. 이 외에도 GigaDevice가 설계한 NOR 플래쉬도 생

산하고 있는 것으로 파악된다. NOR 시장 성장 정체로 WXIC의 매출 성장도 정체되어 있다. 최근에는

스펜션과 전략적인 제휴를 맺고 3D NAND 공정 개발을 위해 힘쓰고 있다.

35 Page


0

500

1,000

1,500

2,000

2,500

3,000

3,500

4,000

2001 2003 2005 2007 2009 2011 2013

Memory Microcomponents Logic

Analog Discrete Other

(mn$)

Figure 76 중국 주요 파운드리 업체들 매출액 추이

Source: Industry data, KTB투자증권Note: ASMC, CRMicro, HH Grace, Huali, SMIC, WXIC 합계 기준

35%48%

32%32% 31%26%13% 11%15%13% 13%12% 13%

0%

10%

20%

30%

40%

50%

60%

70%

80%

90%

100%

2002 2004 2006 2008 2010 2012 2014

Memory Microcomponents Logic Analog Discrete Other

Figure 77 중국 주요 파운드리 업체들 매출 비중

Source: Industry data, KTB투자증권Note: ASMC, CRMicro, HH Grace, Huali, SMIC, WXIC 합계 기준

Figure 78 1999년~2005년 신규 메모리 fab


Manufacturer 99 00 01 02 03 04 05

Samsung Fab9 Fab10 Fab11 Fab12 Fab13 Fab14

Hynix M9(C8)

Nanya Fab2 Inotera1

PowerChip Fab12A Fab12B

ProMOS Fab2 Fab3

SMIC FAB1, Fab2 Fab4/5

Winbond Fab5 Fab6

Micron MTV Flashvision

Qimonda(Infineon) Fab2 White Oak

Mitsubishi Saijo A wing

NEC Shanghai

Elpida E300 Area1 E300 Area2

Toshiba Flashvision


36 Page

Figure 79 중국 주요 파운드리 업체들 Fab 현황


Fab Name Facility Technology Wafer size K/month Comments

SMIC Fab 1 Shanghai, China 0.35- 0.18-micron 8" 49,000

Fab 2 Shanghai, China 0.35 - 0.11-micron 8" 47,000

Fab 3 Shanghai, China Interconnects (Al, Cu) 8" Backend facility and mask shop

Fab 8 Shanghai, China 0.045, 0.040, 0.028-micron 12" 14,000 Entered production 4Q12

Fab 7 Tianjin, China 0.35-0.15-micron 8" 39,000 Will continue to expand this fabs

capacity in 2015

Fab B1 Beijing, China 0.065-micron 12" 23,000 Logic CMOS

Fab B1 Beijing, China 0.065-micron 12" 12,000 Logic CMOS

Fab B2 Beijing, China 0.040 & 0.028 - micron 12" 1,000 Logic CMOS Under construction will

enter production in 2014 (JV with

government)

Shenzhen 9 Shenzhen, China 0.18, 0.13, 0.11-micron 8" 10,000 Initial equipment obtained 10K

capacity by the end of 2014,

production in 2015

Shenzhen 10 Shenzhen, China TBD 12" Construction has not started

Hua hong Fab 3 Shanghai, China 0.25, 0.22, 0.18, 0.13, 8" 40,000 (Grace) The original shell was built to

0.11-micron Logic manufacture this capacity

Fab 1 Shanghai, China CMOS 0.35- 0.18micron 8" 50,000 (HHNEC)

Fab 2 Shanghai, China CMOS 0.18- 0.11micron 8" 40,000 (HHNEC)

WXIC Fab 1 A Wuhan, China 0.090, 0.065, 0.045 NOR Flash12" 20,000

Crmicro Fab 1 Wuxi, China CMOS > 0.5-micron 6" 60,000 Converted to 6-inch wafers in 2003,

now part of Fab 5

Fab 5 Wuxi, China 0.5, 0.4 - 0.35-micron 6" 50,000

Fab 2 Wuxi, China 0.35- 0.25, 0.18-micron 8" 42,000 Production started in 2009

Huali Fab 1 Shanghai, China 0.11, 0.65, 0.055, 0.40-micron12" 28,000 Tools installed. Pilot production 1Q12

ASMC Fab 1 Shanghai, China 1.5 micron 5" 20,000

Fab 2 Shanghai, China 0.5-micron 6" 130,000

Fab 3 Shanghai, China 0.35, 0.25-micron 6" 70,000

37 Page


0

500

1,000

1,500

2,000

2,500

2001 2003 2005 2007 2009 2011 2013

(mn$)Memory Microcomponents Logic

Discrete Other

Figure 80 SMIC 제품별 매출액


0%

10%

20%

30%

40%

50%

60%

70%

80%

90%

100%

2002 2004 2006 2008 2010 2012 2014

Memory Microcomponents Logic Discrete Other

Figure 81 SMIC 제품별 매출 비중


0

100

200

300

400

500

600

700

2001 2003 2005 2007 2009 2011 2013

(mn$) Memory Logic

Analog Discrete

Figure 82 HH Grace 제품별 매출액


0%

10%

20%

30%

40%

50%

60%

70%

80%

90%

100%

2002 2004 2006 2008 2010 2012 2014

Memory Logic Analog Discrete

Figure 83 HH Grace 제품별 매출 비중


0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

200

2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014

Memory Logic

(mn$)

Figure 84 WXIC 제품별 매출액


Memory Logic

0%

10%

20%

30%

40%

50%

60%

70%

80%

90%

100%

2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014

Figure 85 WXIC 제품별 매출 비중



38 Page

V-3-3. 중국은 메모리 산업 진입 가능한가? No

중국이 메모리 산업에 진입하는 것이 가능할까? 중국이 메모리 산업에 진입하기 위한 시나리오를 검

토해 보면 짧은 시간 내에 중국이 메모리 시장에서 경쟁력을 갖출 가능성은 매우 낮다고 판단한다. 물

론 풍부한 유동성을 바탕으로 해서 투자를 지속했을 때 발생할 수 있는 장기적인 위험성에 대해서는

어느 정도 동의할 수 밖에 없다.

현재 메모리를 내부적인 기술만을 가지고 독자적으로 개발한다는 것은 거의 불가능에 가깝다. 선발 메

모리 업체인 삼성전자, SK하이닉스 등도 미세 공정 전환에 어려움을 겪고 있는 것이 현실이다. 따라서

중국은 메모리 업체들을 인수 합병함으로써 메모리 산업에 진입할 것으로 예상된다. 그러나 중국이 메

모리 업체들을 인수하여 메모리 시장에 진입한다고 하더라도 주류 시장에 진입할 수 있을 기술 경쟁력

을 단기에 확보하기 어려울 것으로 판단한다. 파산한 키몬다의 연구개발 인력을 흡수하여 2009년부터

DRAM 사업을 시작한 산동화신반도체의 경쟁력이 여전히 미미하다는 사실에서 이미 한 번 확인했듯

이 말이다.

메모리 산업에 진입하기 위해 가장 효율적인 방법은 IDM 업체를 인수하는 방법이다. DRAM의 경우

파산한 엘피다 혹은 프로모스를 인수하는 것이 가능 손쉬운 방법이다. 그러나 우리는 엘피다와 프로모

스가 파산하게 된 결정적인 이유가 기술적인 한계에 부딪혔기 때문이라는 사실에 주목해야 한다. 더욱

이 파산 후 몇 년간 기술 개발이 진행되지 않아 삼성전자, SK하이닉스와 같은 선발업체와의 기술 갭은

더욱 확대되어 있을 것이다. 따라서 주류 DRAM 시장에 진입하기 위해서는 인수 후 기술 격차 해소를

위해 다년간의 노력이 수반되어야 할 것이다. NAND의 경우는 인수 가능한, 기 파산한 IDM 업체가 아

예 없다.

혹은 메모리 반도체 팹리스 업체를 인수하여 메모리 팹리스 업체가 제품을 설계하고 SMIC 등과 같은

중국 로컬 파운드리 업체가 생산을 하는 방법이 있다. 그러나 이 방식은 파산한 메모리 업체를 인수하

는 방식 대비 성공할 가능성이 낮다고 판단한다. 메모리는 소 품종 대량생산의 구조를 가지고 있다. 따

라서 팹리스와 파운드리가 각각 독립적으로 존재하는 사업 모델은 설계 단계부터 설계와 공정이 유기

적으로 움직이는 IDM 대비 비효율적일 수밖에 없다. 하물며 IDM 업체들 간의 통합도 쉽지 않아

“1+1<2”의 법칙이 메모리에서는 상식에 가까운 법칙으로 통하고 있다. 물론 메모리 팹리스 업체

를 SMIC가 인수한 후 SMIC가 메모리 IDM으로 전환할 수는 있지만 이 또한 쉽지 않다는 판단이다.

중장기적으로는 국내 반도체 장비업체들의 수혜가 예상된다. 중국이 메모리 반도체 산업 진입을 위해

서는 라인 건설이 필연적이다. 국내 반도체 장비 업체들은 삼성전자와 SK하이닉스에 장비를 납품한

풍부한 경험을 가지고 있다. 관심 주로는 원익 IPS, PSK, 한미반도체 등이 있다.

39 Page


Senario 1. 중국 펀드 및 중국 IT 업체, 파산한 엘피다 인력 흡수

이 시나리오는 시장에서 이미 한 번 이야기된 적이 있다. 지난 4월 중국 LCD 업체인 BOE가 중국 정부

의 지원을 받아 메모리 반도체 산업에 진입할 계획이라는 뉴스 보도가 있었다. BOE는 LCD 업체다.

LCD가 반도체와 그나마 가장 유사한 특성을 가지고 있기 때문에 메모리 산업 진출에 거론된 것으로

보인다. BOE가 내부에 반도체 사업부를 신설한 것은 맞으나, 이는 메모리가 아닌 디스플레이용 반도

체의 일종인 DDI 관련 부서인 것으로 당사는 파악하고 있다.

그러나 BOE가 향후 중국 IT 업체는 중국 정부의 지원 (중국 IC 산업 펀드 포함)을 받아 파산한 엘피다

의 인력들을 흡수함으로써 DRAM 산업에 진입할 가능성은 충분하다고 생각한다. 앞서 중국 메모리 반

도체 업체들의 현황을 살펴보면서 우리는 이미 2000년 초반 중국이 엘피다와 메모리 사업을 함께 했

었다는 것을 확인했다. 유이치 사카모토 전 엘피다 회장이 BOE의 메모리 산업 진입에 참여하고 있다

고 거론되는 이유이기도 하다. 특히 엘피다가 모바일 DRAM 경쟁력을 가지고 있다는 점은 중국에게

매력적인 것으로 보인다. 중국 로컬 스마트폰 업체들향 모바일 DRAM 판매가 가능하기 때문이다.

BOE는 하이디스를 인수하여 LCD 산업에 진출한 성공한 경험을 가지고 있다. 이 경험을 엘피다 인수

및 메모리 산업 진출에 그대로 적용할 수 있다. 그러나 LCD 대비 메모리는 설계는 물론 공정 난이도가

매우 높기 때문에 LCD 진입 때와는 다른 양상을 보일 것으로 예상한다. LCD 생산일수가 2주인데 비

해 메모리 반도체 생산일수는 약 8주 정도로 길다. 단순한 수치 계산법으로 접근하더라도 메모리 생산

공정에서 문제가 발생하는 경우의 수가 최소 LCD의 8배에 이른다. 제품 생산을 위해 해결해야 할 문

제가 그만큼 많다는 뜻이다. 공정이 이 정도이니 설계는 말할 필요도 없을 것이다.

Figure 86 중국의 메모리 반도체 산업 진출 → 해외 반도체 업체 인수가 유일한 길. 그러나 기술 격차가 너무 크다

Case1

Case2

장점상대적으로 가장 쉽게 진입하는 방법 통합 및 인수 과정이 쉬움 통합 및 인수 과정이 쉬움

진입 후 내수 메모리 시장 확보 용이 IDM 모델 인수 (설계, 공정 동시 확보 가능)

단점엘피다 인력 중심의 회사 설립이 우선되어야 함 기술 경쟁력 뒤떨어져 있음 비효율적 (팹리스 업체와 SMIC 통합 필요)

기술 경쟁력 뒤떨어져 있음 제품군 변경이 선행되어야 시장 경쟁력 확보 가능 기술 경쟁력 뒤떨어져 있음

엘피다가신규 업체 설립

지분투자 지분투자

정부 지원

대만 메모리 업체

지분투자

Senario1 Senario2 Senario3

중국 펀드

중국 펀드 중국 IT업체(BOE등)

중국 펀드

메모리 팹리스(인수 후 통합)

SMIC

지분투자 지원

+



40 Page

Senario 2. 중국 펀드, 대만 메모리 업체 인수

중국 펀드가 대만에 있는 메모리 업체를 인수하는 방법이 있다. 현재 대만에 있는 메모리 업체 중 인수

가능한 업체는 윈본드일 것으로 추정한다. 이노테라와 렉스칩은 사실상 마이크론의 지배를 받고 있어

매각 가능성이 높지 않다는 판단이다.

윈본드는 DRAM과 NAND 사업부를 모두 가지고 있다. DRAM에서는 일찌감치 주류 DRAM 경쟁에서

빠져나와 컨슈머 DRAM을 중심으로 하여 니치 마켓 플레이어로 자리잡았다. 46nm 미세 공정 기술로

DRAM과 NAND를 모두 생산하고 있다. 물론 선발 업체 대비 미세 공정 기술력이 선발 업체 대비

DRAM은 4년, NAND는 5년 이상 뒤쳐져 있다.

난야는 30nm 미세 공정 기술을 기반으로 주로 컨슈머 DRAM을 생산하고 있는 업체이다. 난야의 인수

는 가능하지만 마이크론의 기술을 이전 받고 있기 때문에 향후 특허 소송 등에 휘말릴 가능성이 높다.

파워칩도 난야와 마찬가지로 기술 관련 소송에 휘말릴 수 있는 가능성이 큰 것으로 판단한다. 파워칩

은 기존 엘피다의 기술을 공여 받아 DRAM을 생산하고 있기 때문에 마이크론이 소송을 제기할 수 있

다. 파워칩은 실적 부진으로 2012년에 DRAM 사업에서 철수했다. 현재는 NAND IDM, DRAM 파운드

리, 비 메모리 파운드리 사업을 하고 있다. 주요 공정은 40나노대인 것으로 파악된다.

Senario 3. SMIC 파운드리 + 팹리스 업체 인수 (ex. 피델릭스)하여 설계

NAND는 파산한 IDM 업체가 없기 때문에 팹리스 업체를 인수하여 설계를 맡기고, 설계된 제품을 중

국 파운드리를 이용하여 생산하는 방식을 취할 가능성이 높다. 얼마 전 중국 동심반도체유한공사는 국

내 메모리 설계 업체인 피델릭스 지분 15.9%를 약 85억원에 인수했다. 피델릭스는 버퍼 DRAM,

NAND, NOR 플래시 설계 업체이다. 향후 SMIC가 동심반도체유한공사가 인수한 피델릭스의 지분을

재 인수하거나 혹은 동심반도체유한공사와 SMIC가 합작회사를 설립하게 되는 경우 중국은 NAND

IDM 업체를 보유하게 된다.

피델릭스는 핸드셋 등에 버퍼 메모리로 사용되는 PSRAM(Pseudo SRAM) 및 LP-SDRAM(Low Power

SDRAM)/DDR(Double Data Rate) 제품과 핸드셋, ODD, Blue Ray 디스크등에 사용되는 NOR 플래쉬

를 주로 생산하고 있다. 2014년 10월부터는 자체 기술력으로 개발한 NAND 1Gb 제품을 대량 양산하

기 시작했다. SMIC가 자체 개발한 38nm 공정 기술로 피델릭스의 파운드리를 담당하고 있다. 피델릭

스는 38nm 1Gb 제품에 이어 20nm 2Gb 및 4Gb 제품 개발을 계획하고 있다.

41 Page


45% 48% 51% 52% 51% 54% 53% 52%

0%

10%

20%

30%

40%

50%

60%

70%

80%

90%

100%

2Q13 3Q13 4Q13 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15

Flash Mobile DRAM Specialty DRAM

Figure 87 윈본드 제품 비중


0%

10%

20%

30%

40%

50%

60%

70%

80%

90%

100%

1Q13

2Q13

3Q13

4Q13

1Q14

2Q14

3Q14

4Q14

1Q15

2Q15E

3Q15E

4Q15E

65nm(BWL) 46nm

Figure 88 윈본드 미세 공정 비중


0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

2010 2011 2012 2013 2014

DRAM (Foundry) DRAM (Own brand)

Flash Foundry

(K/month)

Figure 89 파워칩 CAPA (12” Eq. 기준)


0%

10%

20%

30%

40%

50%

60%

70%

80%

90%

100%

1Q13 2Q13 3Q13 4Q13 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15

Commodity Mobile Consumer & Specialty

Figure 90 난야 제품별 매출 비중

Source: Nanya, KTB투자증권

Company No. of IP AssetsMicron 5,279

Samsung 4,740Toshiba 3,514

IBM 3,372Intel 2,912

Renesas 2,902SK Hynix 2,148SanDisk 1,857

Texas Instruments 1,771Fujitsu 1,267

Qimonda 1,242Taiwan Semiconductor 1,200Round Rock Research 1,115

Sony 1,021ST Microelectronics 993

Total 35,333

Figure 91 업체별 메모리 IP 보유 현황

Source: iRunway, KTB투자증권

SRAM DRAM Others

Front-end of Line 1,411 5,514 174

Back-end of Line 315 808 83

Assembly&Testing 1,903 3,517 199

Latency 7,116 10,518 579

Cell Size 5,080 5,765 156

Bit Density 1,125 3,025 112

Power Management 4,411 4,818 385

Endurance 468 908 51

21,829 34,873 1,739

Manufacturing

DesignParameters

Total

IP number Volatile Memory

Figure 92 공정별 메모리 IP 현황

Source: iRunway, KTB투자증권


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VI. 종목별 투자의견

삼성전자 (005930) _ Top-Pick

SK하이닉스 (000660)

동부하이텍 (000990)

현재가 (5/8)

예상 주가상승률

시가총액

비중(KOSPI내)

발행주식수

52주 최저가/최고가

3개월 일평균거래대금

외국인 지분율

주요주주지분율

이건희외 11인

국민연금공단

1,338,000원

34.5%

1,970,865억원

15.17%

147,299천주

1,083,000/1,503,000원

3,234억원

51.6%

17.6%

7.8%

BUY

Stock Information

Performance

Price Trend

0

200,000

400,000

600,000

800,000

1,000,000

1,200,000

1,400,000

1,600,000

14.5 14.8 14.11 15.2

60

65

70

75

80

85

90

95

100

105

110

주가(좌,원) KOSPI지수대비 (우, p)

삼성전자 (005930)삼각 편대를 가진 종합 반도체 업체

1M 6M 12M YTD

(9.5) 10.9 (0.9) 0.8

(10.8) 3.4 (7.8) (8.0)

주가상승률(%)

KOSPI대비 상대수익률(%)

투자의견

목표주가

Earnings

BUY

1,800,000원

유지

유지

유지

Valuation wide

2014 2015E 2016E

8.5 8.2 7.2

1.4 1.3 1.1

3.9 3.2 2.8

1.5 1.6 1.7

PER(배)

PBR(배)

EV/EBITDA(배)

배당수익률(%)

현재 직전 변동

Top-Pick

44 Page

중국 반도체 업체들 현황 및 중국 정부 정책 변화 검토를 통한 투자의견 점검

Issue

중국 메모리 반도체 업체들의 현황 및 메모리 반도체 진입을 위한 시나리오를 검토해 본

결과, 중국이 단기간에 메모리 산업 내에서 경쟁력을 갖출 가능성은 낮다고 판단. 보수적

으로 중국이 메모리 산업에 진입하더라도 동사의 경쟁자가 될 수 없을 것. 동사는 DRAM,

NAND, AP, 기타 비메모리 제품 등 다양한 제품을 동시에 보유하고 있기 때문. 삼성전

자에 대해서 투자의견 BUY 및 목표주가 180만원 유지

Pitch

•중국이 메모리 산업에 단기간에 진출하는 것은 어렵다고 판단. 삼성전자의 DRAM

산업 내 경쟁력은 지속될 것으로 판단

1) 중국 메모리 업체는 수가 적을 뿐 아니라, 매출액 규모도 매우 작음




3) 메모리 팹리스 업체를 인수하고 생산은 SMIC 등의 중국 파운드리가 맡는 방법.

그러나 다른 회사간의 프로세스가 효율적으로 통합되기 어려운 메모리 산업의 특성상


•V-NAND에도 경쟁력을 가지고 있음. 업계 최초로 V-NAND를 대량으로 생산하기

시작함. 최근 48단 MLC 제품 수율 개선 중. V-NAND 기반으로 SSD 시장을 독식할

것으로 전망

•AP 경쟁력 회복 중. 스냅드래곤 810 발열 이슈로 인해 Exynos 7420의 내부 탑재

비중 대폭 증가 중. 14nm FF 기술을 기반으로 파운드리 경쟁력도 강화 중

Rationale

2012 2013 2014 2015E 2016E 2017E 2018E

매출액 201,104 228,693 206,206 216,997 222,474 240,272 253,487

영업이익 29,049 36,785 25,025 28,955 31,725 33,217 34,700

EBITDA 44,671 53,230 43,078 49,391 51,611 55,092 57,887

순이익 23,845 30,475 23,394 24,806 28,184 29,927 31,699

순차입금 (22,553) (43,335) (50,552) (60,374) (74,858) (92,687) (109,579)

매출액증가율 21.9 13.7 (9.8) 5.2 2.5 8.0 5.5

영업이익률 14.4 16.1 12.1 13.3 14.3 13.8 13.7

순이익률 11.9 13.3 11.3 11.4 12.7 12.5 12.5

EPS증가율 73.2 28.6 (22.6) 6.2 13.6 6.2 5.9

ROE 22.3 23.3 15.3 14.3 14.3 13.5 12.7

(단위: 십억원, %)Earnings Forecasts

Source: K-IFRS 연결 기준, KTB투자증권

45 Page


재무제표 (삼성전자)

(단위: 원, 배)

Per share Data

EPS

BPS

DPS

Multiples(x,%)

PER

PBR

EV/EBITDA

배당수익율

PCR

PSR

재무건전성(%)

부채비율

Net debt/Equity

Net debt/EBITDA

유동비율

이자보상배율

이자비용/매출액

자산구조

투하자본(%)

현금+투자자산(%)

자본구조

차입금(%)

자기자본(%)

(단위: 십억원)

영업현금

당기순이익

자산상각비

운전자본증감

매출채권감소(증가)

재고자산감소(증가)

매입채무증가(감소)

투자현금

단기투자자산감소

장기투자증권감소

설비투자

유무형자산감소

재무현금

차입금증가

자본증가

배당금지급

현금 증감

총현금흐름(Gross CF)

(-) 운전자본증가(감소)

(-) 설비투자

(+) 자산매각

Free Cash Flow

(-) 기타투자

잉여현금

(단위: 십억원)

매출액

증가율 (Y-Y,%)

영업이익

증가율 (Y-Y,%)

EBITDA

영업외손익

순이자수익

외화관련손익

지분법손익

세전계속사업손익

당기순이익

지배기업당기순이익

증가율 (Y-Y,%)

NOPLAT

(+) Dep

(-) 운전자본투자

(-) Capex

OpFCF

3 Yr CAGR & Margins

매출액증가율(3Yr)

영업이익증가율(3Yr)

EBITDA증가율(3Yr)

순이익증가율(3Yr)

영업이익률(%)

EBITDA마진(%)

순이익률 (%)

(단위: 십억원)

유동자산

현금성자산

매출채권

재고자산

비유동자산

투자자산

유형자산

무형자산

자산총계

유동부채

매입채무

유동성이자부채

비유동부채

비유동이자부채

부채총계

자본금

자본잉여금

이익잉여금

자본조정

자기주식

자본총계

투하자본

순차입금

ROA

ROE

ROIC

대차대조표 손익계산서

현금흐름표 주요투자지표

2013 2014 2015E 2016E 2017E

110,760.3 115,146.0 128,914.7 144,680.2 163,719.7

54,496.0 61,817.3 71,531.3 85,250.5 103,011.7

27,875.9 28,234.5 30,688.4 30,559.2 31,223.7

19,134.9 17,317.5 18,762.8 20,779.7 21,231.6

103,314.7 115,276.9 123,583.9 132,402.6 140,582.6

23,837.8 29,618.5 30,821.1 32,072.6 33,374.9

75,496.4 80,873.0 87,766.4 95,142.6 101,871.2

3,980.6 4,785.5 4,996.4 5,187.3 5,336.6

214,075.0 230,423.0 252,498.6 277,082.8 304,302.3

51,315.4 52,013.9 52,348.7 52,500.7 53,157.1

17,633.7 18,233.1 19,409.8 19,328.0 19,748.4

8,864.3 9,808.0 9,561.5 9,561.5 9,561.5

12,743.6 10,320.9 9,215.0 8,716.3 8,925.5

2,296.2 1,457.6 1,595.8 830.9 763.1

64,059.0 62,334.8 61,563.7 61,217.0 62,082.7

897.5 897.5 897.5 897.5 897.5

4,403.9 4,403.9 4,403.9 4,403.9 4,403.9

148,600.3 169,529.6 192,093.9 216,703.6 242,716.6

(9,459.1) (12,649.3) (12,649.3) (12,649.3) (12,649.3)

(7,323.4) (8,429.3) (8,429.3) (8,429.3) (8,429.3)

150,016.0 168,088.2 190,935.0 215,865.8 242,219.6

94,019.9 99,636.4 111,934.2 121,624.6 129,362.4

(43,335.5) (50,551.8) (60,374.0) (74,858.1) (92,687.1)

15.4 10.5 10.3 10.6 10.3

23.3 15.3 14.3 14.3 13.5

32.7 21.7 22.1 22.2 21.7

2013 2014 2015E 2016E 2017E

46,707.4 36,975.4 40,607.7 46,543.5 51,556.7

30,474.8 23,394.4 24,806.3 28,183.7 29,927.2

16,445.4 18,053.4 20,435.7 19,885.9 21,874.5

(1,313.2) (3,837.1) (3,473.5) (1,894.3) (621.8)

(1,801.7) (879.4) (2,453.9) 129.2 (664.6)

(3,097.8) 267.0 (1,445.3) (2,016.9) (451.9)

330.6 787.3 1,176.7 (81.7) 420.3

(44,747.0) (32,806.4) (30,369.7) (30,385.8) (31,791.1)

(19,358.0) (1,824.3) (1,826.2) (1,900.4) (1,977.5)

160.1 (6,009.2) (527.6) (537.2) (546.0)

(23,157.6) (22,042.9) (26,048.3) (25,961.3) (27,260.4)

(552.7) (907.0) (1,491.8) (1,491.8) (1,491.8)

(4,137.0) (3,057.1) (2,350.3) (4,338.8) (3,982.0)

(3,203.3) 274.4 (108.2) (764.9) (67.8)

(1,215.3) (2,206.3) (2,242.1) (3,573.9) (3,914.2)

1,249.7 2,233.9 2,242.1 3,573.9 3,914.2

(2,506.7) 556.0 7,887.7 11,818.8 15,783.6

54,279.6 45,718.1 44,081.2 48,437.7 52,178.6

1,482.7 (2,690.5) 3,473.5 1,894.3 621.8

23,157.6 22,042.9 26,048.3 25,961.3 27,260.4

(552.7) (907.0) (1,491.8) (1,491.8) (1,491.8)

29,086.5 25,458.7 13,067.7 19,090.4 22,804.5

(160.1) 6,009.2 527.6 537.2 546.0

29,246.6 19,449.5 12,540.0 18,553.2 22,258.5

2012 2013 2014E 2015E 2016E

202,453 156,705 163,226 185,584 197,130

825,602 925,138 1,056,525 1,200,053 1,352,074

14,300 20,000 21,000 23,000 24,000

6.8 8.5 8.2 7.2 6.8

1.7 1.4 1.3 1.1 1.0

3.4 3.9 3.2 2.8 2.3

1.0 1.5 1.6 1.7 1.8

4.3 4.9 5.2 4.7 4.4

1.0 1.1 1.0 1.0 0.9

42.7 37.1 32.2 28.4 25.6

n/a n/a n/a n/a n/a

n/a n/a n/a n/a n/a

215.8 221.4 246.3 275.6 308.0

n/a n/a n/a n/a n/a

0.2 0.3 0.3 0.2 0.2

54.6 52.1 52.2 50.9 48.7

45.4 47.9 47.8 49.1 51.3

6.9 6.3 5.5 4.6 4.1

93.1 93.7 94.5 95.4 95.9

2013 2014 2015E 2016E 2017E

228,692.7 206,206.0 216,997.2 222,473.8 240,271.7

13.7 (9.8) 5.2 2.5 8.0

36,785.0 25,025.1 28,955.1 31,724.9 33,217.5

26.6 (32.0) 15.7 9.6 4.7

53,230.4 43,078.5 49,390.8 51,610.8 55,091.9

1,579.3 2,850.0 1,793.3 2,697.8 3,305.4

954.1 2,676.7 1,821.2 2,558.7 3,144.4

(330.1) (250.1) (80.0) (80.0) (80.0)

504.1 342.5 199.2 219.1 241.0

38,364.3 27,875.0 30,748.5 34,422.6 36,522.8

30,474.8 23,394.4 24,806.3 28,183.7 29,927.2

29,821.2 23,082.5 24,523.8 27,862.7 29,586.3

27.8 (23.2) 6.0 13.6 6.2

29,220.3 21,002.5 23,359.6 25,974.9 27,218.7

16,445.4 18,053.4 20,435.7 19,885.9 21,874.5

1,482.7 (2,690.5) 3,473.5 1,894.3 621.8

23,157.6 22,042.9 26,048.3 25,961.3 27,260.4

21,025.4 19,703.4 14,273.5 18,005.3 21,210.9

13.9 7.7 2.6 (0.9) 5.2

28.6 17.0 (0.1) (4.8) 9.9

22.9 13.8 3.4 (1.0) 8.5

23.6 19.4 1.3 (2.6) 8.6

16.1 12.1 13.3 14.3 13.8

23.3 20.9 22.8 23.2 22.9

13.3 11.3 11.4 12.7 12.5


현재가 (5/8)


시가총액

비중(KOSPI내)

발행주식수



외국인 지분율


에스케이텔레콤(주)외 4인

국민연금공단

45,950원

34.9%

334,517억원

2.57%

728,002천주

40,900 / 51,900원

1,328억원

52.1%

20.1%

9.2%

BUY

Stock Information

Performance

Price Trend

0

10,000

20,000

30,000

40,000

50,000

60,000

14.5 14.8 14.11 15.2

60

70

80

90

100

110

120

130

주가(좌,원) KOSPI 지수대비 (우, p)

SK하이닉스 (000660)승자독식 지속 전망

1M 6M 12M YTD

7.9 (3.1) 13.0 (3.8)

6.6 (10.6) 6.1 (12.6)

주가상승률(%)


투자의견

목표주가

Earnings

BUY

62,000원

유지

유지

유지

Valuation wide

2014 2015E 2016E

8.2 6.6 6.9

2.1 1.6 1.3

4.1 3.0 2.7

0.6 0.8 0.9

PER(배)

PBR(배)

EV/EBITDA(배)

배당수익률(%)


In-Depth

46 Page


Issue

중국 메모리 반도체 업체들의 현황 및 메모리 반도체 진입을 위한 시나리오를 검토해 본

결과, 중국이 단기간에 메모리 산업 내에서 경쟁력을 갖출 가능성은 낮다고 판단. SK하

이닉스에 대해서 투자의견 BUY 및 목표주가 6.2만원 유지

Pitch

•중국이 메모리 산업에 단기간에 진출하는 것은 어렵다고 판단. SK하이닉스의 DRAM

산업 내 경쟁력은 지속될 것으로 판단

1) 중국 메모리 업체는 수가 적을 뿐 아니라, 매출액 규모도 매우 작음




3) 메모리 팹리스 업체를 인수하고 생산은 SMIC 등의 중국 파운드리가 맡는 방법. 그

러나 다른 회사간의 프로세스가 효율적으로 통합되기 어려운 메모리 산업의 특성상


•NAND 경쟁력 강화는 필요할 것으로 판단. TLC 제품 라인업을 이제 막 갖추기 시작

했다는 점은 긍정적으로 평가할 수 있음. 그러나 선발 업체 대비 3D NAND 기술력이

뒤쳐져 있음은 아쉬운 점

•2분기 실적은 기존 당사 추정치를 소폭 하회할 것으로 전망. 원/달러 환율이 예상을 하

회하여 하락하고 있기 때문. 2분기 PC DRAM 가격 하락폭은 예상 대비 큰 15% 내

외. 그러나 이 부분은 이미 당사 추정치에 반영되어 있음

Rationale

2012 2013 2014 2015E 2016E 2017E 2018E

매출액 10,162 14,165 17,126 19,428 19,824 21,031 23,550

영업이익 (227) 3,380 5,109 6,245 5,984 5,962 5,684

EBITDA 2,976 6,458 8,553 10,143 10,358 10,770 10,505

순이익 (159) 2,873 4,195 5,042 4,856 4,878 4,698

순차입금 4,704 1,625 117 (3,103) (5,370) (7,922) (11,798)

매출액증가율 (2.2) 39.4 20.9 13.4 2.0 6.1 12.0

영업이익률 (2.2) 23.9 29.8 32.1 30.2 28.3 24.1

순이익률 (1.6) 20.3 24.5 26.0 24.5 23.2 20.0

EPS증가율 적지 흑전 42.6 18.4 (3.7) 0.4 (3.7)

ROE (1.8) 25.2 27.0 24.6 19.2 16.3 13.6



47 Page


재무제표 (SK하이닉스)

(단위: 원, 배)

Per share Data

EPS

BPS

DPS

Multiples(x,%)

PER

PBR

EV/EBITDA

배당수익율

PCR

PSR

재무건전성(%)

부채비율

Net debt/Equity

Net debt/EBITDA

유동비율

이자보상배율


자산구조

투하자본(%)


자본구조

차입금(%)

자기자본(%)

(단위: 십억원)

영업현금

당기순이익

자산상각비

운전자본증감




투자현금



설비투자


재무현금

차입금증가

자본증가

배당금지급

현금 증감



(-) 설비투자

(+) 자산매각

Free Cash Flow

(-) 기타투자

잉여현금

(단위: 십억원)

매출액

증가율 (Y-Y,%)

영업이익

증가율 (Y-Y,%)

EBITDA

영업외손익

순이자수익

외화관련손익

지분법손익


당기순이익


증가율 (Y-Y,%)

NOPLAT

(+) Dep


(-) Capex

OpFCF

3 Yr CAGR & Margins





영업이익률(%)

EBITDA마진(%)

순이익률 (%)

(단위: 십억원)

유동자산

현금성자산

매출채권

재고자산

비유동자산

투자자산

유형자산

무형자산

자산총계

유동부채

매입채무


비유동부채


부채총계

자본금

자본잉여금

이익잉여금

자본조정

자기주식

자본총계

투하자본

순차입금

ROA

ROE

ROIC



2013 2014 2015E 2016E 2017E

6,653.1 10,363.5 12,097.8 13,942.4 16,717.1

3,034.9 4,058.3 6,637.6 8,106.2 10,560.3

2,249.1 4,578.4 3,733.0 3,755.0 4,092.7

1,178.3 1,497.6 1,498.0 1,851.9 1,834.9

14,144.2 16,519.8 19,227.3 21,188.8 23,118.1

904.0 1,092.8 1,371.5 1,427.2 1,485.2

12,129.8 14,090.3 16,197.7 17,867.4 19,531.9

1,110.4 1,336.7 1,658.1 1,894.2 2,101.0

20,797.3 26,883.3 31,325.2 35,131.2 39,835.2

3,078.2 5,765.3 5,024.5 5,008.0 5,194.7

1,437.1 2,146.6 2,092.8 2,076.4 2,263.1

872.5 1,755.1 1,068.1 1,068.1 1,068.1

4,652.2 3,081.7 3,268.7 2,497.2 2,428.1

3,787.0 2,420.4 2,466.4 1,667.7 1,570.1

7,730.4 8,847.0 8,293.2 7,505.3 7,622.8

3,568.6 3,657.7 3,657.7 3,657.7 3,657.7

3,406.1 4,143.7 4,143.7 4,143.7 4,143.7

6,201.3 10,276.9 15,100.8 19,694.8 24,281.2

(108.8) (41.8) 130.0 130.0 130.0

0.0 (0.0) (0.0) (0.0) (0.0)

13,066.9 18,036.3 23,032.0 27,626.0 32,212.4

14,425.6 17,929.1 19,695.4 22,012.5 24,037.5

1,624.6 117.2 (3,103.1) (5,370.5) (7,922.1)

14.6 17.6 17.3 14.6 13.0

25.2 27.0 24.6 19.2 16.3

22.0 26.2 26.8 23.2 20.9

2013 2014 2015E 2016E 2017E

6,372.1 5,866.7 9,872.4 8,066.2 8,781.8

2,872.9 4,195.2 5,042.3 4,856.1 4,877.6

3,078.5 3,444.0 3,898.0 4,374.0 4,808.5

(68.8) (2,657.5) 791.1 (392.4) (134.0)

(278.1) (1,628.7) 845.4 (22.0) (337.6)

333.2 (314.5) (0.4) (353.9) 17.0

188.2 (36.7) (53.8) (16.4) 186.7

(4,892.1) (6,087.8) (6,641.8) (6,335.5) (6,737.7)

(1,028.6) (1,407.8) (36.2) 0.0 0.0

(115.2) 27.2 (9.1) (9.5) (9.9)

(3,205.8) (4,800.7) (5,800.0) (5,800.0) (6,200.0)

(285.8) (137.0) (526.8) (479.8) (479.8)

(1,500.0) 28.3 (687.6) (262.1) 410.0

(1,500.0) 28.4 (641.0) 0.0 701.2

0.0 0.0 (46.6) (262.1) (291.2)

0.0 0.0 218.4 262.1 291.2

(26.5) (195.1) 2,543.1 1,468.6 2,454.1

6,590.3 8,962.7 9,081.3 8,458.6 8,915.7

(409.6) 882.5 (791.1) 392.4 134.0

3,205.8 4,800.7 5,800.0 5,800.0 6,200.0

(285.8) (137.0) (526.8) (479.8) (479.8)

3,508.4 3,142.5 3,545.6 1,786.4 2,102.0

115.2 (27.2) 9.1 9.5 9.9

3,393.2 3,169.7 3,536.5 1,776.9 2,092.1

2013 2014 2015E 2016E 2017E

4,102 5,849 6,927 6,672 6,701

16,836 22,939 29,360 35,346 41,362

0 300 360 400 380

9.0 8.2 6.6 6.9 6.9

2.2 2.1 1.6 1.3 1.1

4.3 4.1 3.0 2.7 2.4

0.0 0.6 0.8 0.9 0.8

3.9 3.8 3.7 4.0 3.8

1.8 2.0 1.7 1.7 1.6

59.2 49.1 36.0 27.2 23.7

12.4 0.6 n/a n/a n/a

25.2 1.4 n/a n/a n/a

216.1 179.8 240.8 278.4 321.8

18.0 43.7 156.2 n/a n/a

1.8 1.0 0.5 0.4 0.3

78.6 77.7 71.1 69.8 66.6

21.4 22.3 28.9 30.2 33.4

26.3 18.8 13.3 9.0 7.6

73.7 81.2 86.7 91.0 92.4

2013 2014 2015E 2016E 2017E

14,165.1 17,125.6 19,428.1 19,823.6 21,031.4

39.4 20.9 13.4 2.0 6.1

3,379.8 5,109.5 6,245.0 5,984.2 5,961.7

흑전 51.2 22.2 (4.2) (0.4)

6,458.3 8,553.4 10,143.0 10,358.1 10,770.2

(304.9) (61.8) (9.5) 21.1 70.2

(187.8) (117.0) (40.0) 21.1 70.2

94.3 128.5 23.5 0.0 0.0

19.3 23.1 0.0 0.0 0.0

3,074.9 5,047.7 6,235.5 6,005.3 6,032.0

2,872.9 4,195.2 5,042.3 4,856.1 4,877.6

2,872.5 4,195.5 5,043.2 4,857.0 4,878.6

흑전 46.0 20.2 (3.7) 0.4

3,157.7 4,246.5 5,049.9 4,839.0 4,820.9

3,078.5 3,444.0 3,898.0 4,374.0 4,808.5

(409.6) 882.5 (791.1) 392.4 134.0

3,205.8 4,800.7 5,800.0 5,800.0 6,200.0

3,440.1 2,007.3 3,939.0 3,020.6 3,295.4

5.4 18.1 24.1 11.9 7.1

4.3 140.1 n/a 21.0 5.3

1.8 30.6 50.5 17.1 8.0

3.4 n/a n/a 19.1 5.2

23.9 29.8 32.1 30.2 28.3

45.6 49.9 52.2 52.3 51.2

20.3 24.5 26.0 24.5 23.2


현재가 (5/8)


시가총액

비중(KOSPI내)

발행주식수



외국인 지분율


동부씨엔아이외 9인

9,000원

n/a

3,993억원

0.03%

44,368천주

3,405 / 9,000원

38억원

5.2%

37.4%

Not Rated

Stock Information

Performance

Price Trend

0

1,000

2,000

3,000

4,000

5,000

6,000

7,000

8,000

9,000

14.5 14.8 14.11 15.2

50

60

70

80

90

100

110

120

주가(좌,원) KOSPI 지수대비 (우, p)

동부하이텍 (000990)보는 시각에 따라 다르다

1M 6M 12M YTD

49.8 73.1 38.9 95.0

48.5 65.6 32.0 86.1

주가상승률(%)


투자의견

목표주가

Earnings

Not Rated

Valuation wide

2012 2013 2014

n/a n/a n/a

1.3 2.6 3.5

8.8 12.3 6.5

0.0 0.0 0.0

PER(배)

PBR(배)

EV/EBITDA(배)

배당수익률(%)


In-Depth

48 Page


Issue

중국 IC 지원 펀드가 동사를 인수할 가능성이 있는 것으로 판단. 2013년 4분기를 바닥으로

영업실적 개선되고 있는 추세. 신디케이트론 차환 발행을 통해 이자 비용도 낮아질 수 있음

Pitch

•중국 IC 지원 펀드는 동사에 대해 인수 제안을 해 놓았음. 구체적인 진행 사항에 대해

서는 알기 어려움. 그러나 중국 정부의 정책 방향 및 동사의 경쟁력을 바탕으로 판단해

보면 중국 IC 펀드의 지분 인수 가능성이 높아 보임

•2014년 6월 중국 정부는 공격적인 반도체 지원 정책 발표. 이전 정책과의 가장 큰 차

이점은 IC 지원 펀드가 조성되었다는 것. IC 지원 펀드 조성 후 중국은 글로벌 반도체

업체들을 인수하고 있음

•동부하이텍은 중국 2위 파운드리 업체 HH Grace와 매출액 및 기술 경쟁력 유사.

중국 입장에서는 인수 매력이 충분하다는 판단

•2014년 1분기부터 영업이익 흑자 전환. 이익률이 높은 제품 비중이 증가하고 있기 때

문. 2011년 매출 비중은 LDI 20%, CIS 20%, Analog 10%, Logic 등 기타 40%.

2014년 매출 비중은 LDI 40%, CIS 10% 후반, Analog 10% 초반, Logic 등 기타

20%. Analog 및 LDI의 이익률이 Logic 대비 높은 것으로 추정

•2015년에는 이자비용이 대폭 감소할 전망. 신디케이트론의 이자율을 기존 약 10%

(각 loan별로 6.97%~13.35%)에서 약 5% 내외로 감소 예상. 이에 따라 이자 비용

약 350억원 내외 감소할 것으로 예상 (4분기말 순차입금 6,175억원)

•1분기 영업실적은 매출액 1,500억원, 영업이익 180억원 예상

Rationale

2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014

매출액 1,880.8 1,236.5 701.0 552.2 590.8 493.8 567.7

영업이익 33.8 (136.2) (279.3) (35.4) (15.6) (9.6) 45.6

EBITDA 309.2 120.7 140.9 87.3 95.3 78.1 127.6

순이익 (299.3) (183.4) (71.0) (97.9) (31.3) (83.0) (77.0)

순차입금 1,968.6 1,388.7 688.0 649.9 556.1 627.0 617.5

매출액증가율 17.7 3.0 (21.4) (33.5) (21.8) (11.0) 0.9

영업이익률 1.8 (11.0) (39.8) (6.4) (2.6) (1.9) 8.0

순이익률 (15.9) (14.8) (10.1) (17.7) (5.3) (16.8) (13.6)

EPS증가율 n/a n/a n/a n/a n/a n/a n/a

ROE (13.8) (27.2) (10.5) (33.5) (47.3) (13.8) (27.2)



49 Page


0

400

800

1,200

1,600

2,000


(mn$)

Figure 02 ‘14년 매출 비교 (중국 파운드리 업체들 vs. 동부하이텍)


0%

10%

20%

30%

40%

50%

60%

70%

80%

90%

100%


0.065

0.09

0.13

0.18

0.25

0.35

0.5

(μm)



Figure 01 동부하이텍 손익 (단위: 십억원)

Source: 동부하이텍, KTB투자증권 Note: K-IFRS 연결 기준

1Q12 2Q12 3Q12 4Q12 1Q13 2Q13 3Q13 4Q13 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 2012 2013 2014

매출액 147.4 159.8 150.0 133.5 121.2 132.5 133.5 106.5 118.6 143.7 147.9 157.5 590.8 493.8 567.7

영업이익 (6.9) 4.3 (1.4) (11.6) (7.4) 12.2 1.4 (15.8) 0.8 10.3 12.3 22.2 (15.6) (9.6) 45.6

영업외손익 125.9 89.5 38.4 77.7 218.7 143.4 100.9 254.7 253.6 148.9 425.9 516.9 331.5 717.7 1345.3

이자비용 130.5 127.5 121.6 122.4 117.2 134.0 173.6 170.6 167.9 166.1 171.4 171.1 502.0 595.5 676.5

법인세차감전 순이익 (19.5) (4.7) (5.3) (19.3) (29.3) (2.1) (8.7) (41.3) (24.5) (4.6) (30.3) (29.5) (48.7) (81.4) (89.0)

순이익 (18.2) (4.8) 11.1 (19.4) (29.3) (2.5) (9.3) (41.9) (23.2) (5.2) (29.8) (18.8) (31.3) (83.0) (77.0)

영업이익률 -5% 3% -1% -9% -6% 9% 1% -15% 1% 7% 8% 14% -3% -2% 8%

순이익률 -12% -3% 7% -15% -24% -2% -7% -39% -20% -4% -20% -12% -5% -17% -14%

순차입금 556.1 627.0 617.5 556.1 627.0 617.5


50 Page

재무제표 (동부하이텍)

(단위: 원, 배)

Per share Data

EPS

BPS

DPS

Multiples(x,%)

PER

PBR

EV/EBITDA

배당수익율

PCR

PSR

재무건전성(%)

부채비율

Net debt/Equity

Net debt/EBITDA

유동비율

이자보상배율


자산구조

투하자본(%)


자본구조

차입금(%)

자기자본(%)

(단위: 십억원)

영업현금

당기순이익

자산상각비

운전자본증감




투자현금



설비투자


재무현금

차입금증가

자본증가

배당금지급

현금 증감



(-) 설비투자

(+) 자산매각

Free Cash Flow

(-) 기타투자

잉여현금

(단위: 십억원)

매출액

증가율 (Y-Y,%)

영업이익

증가율 (Y-Y,%)

EBITDA

영업외손익

순이자수익

외화관련손익

지분법손익


당기순이익


증가율 (Y-Y,%)

NOPLAT

(+) Dep


(-) Capex

OpFCF

3 Yr CAGR & Margins





영업이익률(%)

EBITDA마진(%)

순이익률 (%)

(단위: 십억원)

유동자산

현금성자산

매출채권

재고자산

비유동자산

투자자산

유형자산

무형자산

자산총계

유동부채

매입채무


비유동부채


부채총계

자본금

자본잉여금

이익잉여금

자본조정

자기주식

자본총계

투하자본

순차입금

ROA

ROE

ROIC



2010 2011 2012 2013 2014

345.7 279.7 309.1 223.0 247.6

121.0 72.0 137.1 48.7 54.0

116.9 82.0 78.8 92.2 115.9

84.6 77.1 79.3 72.4 69.2

1,341.2 919.3 848.6 835.4 737.3

147.7 89.0 86.5 125.1 83.7

1,163.3 758.9 685.4 636.0 591.8

30.3 71.4 76.7 74.2 61.8

1,686.9 1,199.0 1,157.8 1,058.4 984.9

166.6 794.7 555.4 476.9 376.4

86.3 53.6 57.2 56.5 80.6

56.3 721.9 478.4 398.9 279.8

1,115.3 96.3 311.4 376.8 487.7

752.7 0.0 214.8 276.8 391.6

1,281.9 891.0 866.9 853.6 864.2

212.3 214.6 222.6 222.6 222.6

688.3 684.5 691.5 128.1 128.1

(483.2) (512.7) (545.4) (63.4) (145.2)

(4.9) (78.3) (77.8) (82.5) (84.8)

(88.9) (80.4) (80.4) (80.4) (79.3)

405.0 308.1 290.9 204.8 120.7

1,050.7 874.2 766.6 712.7 665.0

688.0 649.9 556.1 627.0 617.5

(3.2) (6.8) (2.7) (7.5) (7.5)

(13.8) (27.2) (10.5) (33.5) (47.3)

(13.5) (2.7) (1.4) (0.9) 4.8

2010 2011 2012 2013 2014

(13.2) 60.6 71.9 27.6 48.4

(71.0) (97.9) (47.7) (83.0) (77.0)

420.1 122.7 110.9 87.7 82.1

(46.0) 2.6 (9.8) 8.1 51.8

(92.9) (5.8) (20.5) 4.1 (18.3)

(98.6) 25.1 9.1 9.0 (23.1)

(1.3) 2.0 (9.8) 14.4 2.7

319.1 (21.9) (46.6) (13.6) (43.9)

(26.7) 77.9 (62.4) 80.6 (1.3)

0.0 1.0 0.2 2.7 0.0

(61.0) (56.5) (29.0) (36.3) (30.5)

51.7 (25.8) (7.1) (10.2) (6.6)

(285.2) (90.1) (23.5) (18.1) 1.2

(300.6) (90.1) (23.4) (12.3) 1.2

0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

18.6 (52.8) (0.1) (4.7) 5.1

72.7 103.3 115.9 78.8 141.5

(101.7) 20.5 (39.9) 1.2 0.8

61.0 56.5 29.0 36.3 30.5

51.7 (25.8) (7.1) (10.2) (6.6)

165.1 0.5 119.7 31.1 103.5

0.0 (1.0) (0.2) (2.7) 0.0

165.1 1.6 119.9 33.8 103.5

2010 2011 2012 2013 2014

(1,754) (2,295) (713) (1,872) (1,736)

9,002 5,514 4,812 2,932 1,322

0 0 0 0 0

n/a n/a n/a n/a n/a

1.2 1.3 1.3 2.6 3.5

8.1 11.0 8.8 12.3 6.5

0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

5.9 3.0 2.4 4.3 1.5

0.6 0.6 0.5 0.7 0.4

316.5 289.2 298.0 416.9 716.0

169.9 211.0 191.2 306.2 511.6

488.4 744.2 583.3 803.1 483.8

207.5 35.2 55.7 46.8 65.8

n/a n/a n/a n/a 0.7

14.7 10.4 8.5 12.1 11.9

79.6 84.4 77.4 80.4 82.9

20.4 15.6 22.6 19.6 17.1

66.6 70.1 70.4 76.7 84.8

33.4 29.9 29.6 23.3 15.2

2010 2011 2012 2013 2014

701.0 552.2 590.8 493.8 567.7

18.6 (21.2) 7.0 (16.4) 15.0

(279.3) (35.4) (15.6) (9.6) 45.6

적지 적지 적지 적지 흑전

140.9 87.3 95.3 78.1 127.6

(37.1) (57.6) (33.1) (71.8) (134.5)

(100.9) (51.9) (46.1) (56.6) (65.7)

3.0 (2.0) 6.5 0.6 (2.2)

147.1 (0.7) (3.2) (11.0) (45.9)

(316.3) (93.0) (48.7) (81.4) (89.0)

(71.0) (97.9) (31.3) (83.0) (77.0)

(71.0) (97.9) (31.3) (83.0) (77.0)

적지 적지 적지 적지 적지

(202.5) (25.7) (11.3) (7.0) 33.0

420.1 122.7 110.9 87.7 82.1

(101.7) 20.5 (39.9) 1.2 0.8

61.0 56.5 29.0 36.3 30.5

258.4 20.1 110.6 43.2 83.8

(21.4) (33.5) (21.8) (11.0) 0.9

n/a n/a n/a n/a n/a

(4.8) (34.4) (7.6) (17.9) 13.5

n/a n/a n/a n/a n/a

(39.8) (6.4) (2.6) (1.9) 8.0

20.1 15.8 16.1 15.8 22.5

(10.1) (17.7) (5.3) (16.8) (13.6)


51 Page


일자 2013.1.3 2013.1.16 2013.1.28 2013.1.31 2013.2.26 2013.3.13

투자의견 BUY BUY BUY BUY BUY BUY

목표주가 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원

일자 2013.3.18 2013.3.25 2013.4.1 2013.4.8 2013.4.12 2013.4.16


목표주가 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원 2,100,000원 2,100,000원 2,100,000원

일자 2013.4.29 2013.5.2 2013.5.13 2013.5.16 2013.5.27 2013.6.4


목표주가 2,100,000원 2,100,000원 2,100,000원 2,100,000원 2,100,000원 2,100,000원

일자 2013.6.12 2013.6.17 2013.6.26 2013.7.2 2013.7.16 2013.7.19


목표주가 2,100,000원 2,100,000원 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원

일자 2013.7.29 2013.8.02 2013.8.16 2013.9.3 2013.9.9 2013.9.26


목표주가 1900000 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원

일자 2013.9.30 2013.10.17 2013.10.28 2013.11.7 2013.11.18 2013.12.2


목표주가 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원

일자 2013.12.12 2013.12.16 2014.1.3 2014.1.27 2014.2.6 2014.2.7


목표주가 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원

일자 2014.3.12 2014.3.24 2014.3.31 2014.4.1 2014.4.11 2014.4.18


목표주가 1,900,000원 1,900,000원 1,600,000원 1,600,000원 1,600,000원 1,600,000원

일자 2014.4.21 2014.4.30 2014.5.7 2014.5.19 2014.6.2 2014.6.9


목표주가 1,600,000원 1,600,000원 1,600,000원 1,600,000원 1,600,000원 1,600,000원

일자 2014.6.17 2014.6.25 2014.7.1 2014.7.11 2014.7.16 2014.8.1


목표주가 1,600,000원 1,600,000원 1,600,000원 1,600,000원 1,600,000원 1,600,000원

일자 2014.8.18 2014.9.30 2014.10.6 2014.10.13 2014.10.15 2014.10.31


목표주가 1,600,000원 1,450,000원 1,450,000원 1,450,000원 1,450,000원 1,450,000원

일자 2014.11.3 2014.11.18 2014.12.1 2014.12.15 2014.1.6 2015.1.12


목표주가 1,450,000원 1,450,000원 1,450,000원 1,450,000원 1,450,000원 1,600,000원

일자 2015.1.16 2015.1.22 2015.1.30 2015.4.2 2015.4.6 2015.4.20


목표주가 1,600,000원 1,600,000원 1,700,000원 1,800,000원 1,800,000원 1,800,000원

일자 2015.4.30 2015.5.4 2015.5.11

투자의견 BUY BUY BUY

목표주가 1,800,000원 1,800,000원 1,800,000원

삼성전자 (005930)

0

400,000

800,000

1,200,000

1,600,000

2,000,000

2,400,000

Jun-12 Feb-13 Oct-13 Jun-14 Feb-15

(원)

삼성전자 목표주가

최근 2년간 투자등급 및 목표주가 변경내용

당사는 본 자료를 기관투자가 등 제 3자에게 사전 제공한 사실이 없습니다.

당사는 본 자료 발간일 현재 해당 기업의 인수/합병의 주선 업무를 수행하고 있지 않습니다.

당사는 자료작성일 현재 본 자료에서 추천한 종목의 지분을 1% 이상 보유하고 있지 않습니다.

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당사는 동 종목에 대해 자료작성일 기준 유가증권 발행(DR, CB, IPO, 시장조성 등)과

관련하여 지난 6개월 주간사로 참여하지 않았습니다.

당사는 상기 명시한 사항 외에 고지해야 하는 특별한 이해관계가 없습니다.

본 자료를 작성한 애널리스트 및 그 배우자는 발간일 현재 해당 기업의 주식 및 주식관련

파생상품 등을 보유하고 있지 않습니다.

본 자료의 조사분석 담당자는 어떠한 외부 압력이나 간섭 없이 본인의 의견을 정확하게

반영하여 작성하였습니다.

아래 종목투자의견은 향후 12개월간 추천기준일 종가대비 추천종목의 예상 목표수익률을 의미함.

ㆍSTRONG BUY : 추천기준일 종가대비 +50%이상.

ㆍHOLD : 추천기준일 종가대비 +5%이상∼ +15%미만.

ㆍREDUCE : 추천기준일 종가대비 +5%미만.

ㆍBUY : 추천기준일 종가대비 +15%이상~+50%미만.

ㆍSUSPENDED : 기업가치 전망에 불확실성이 일시적으로 커졌을 경우 잠정적으로 분석 중단.

목표가는 미제시.

투자의견이 시장 상황에 따라 투자등급 기준과 일시적으로 다를 수 있음.

동 조사분석 자료에서 제시된 업종 투자의견은 시장대비 업종의 초과수익률 수준에 근거한 것으로,

개별종목에 대한 투자의견과 다를 수 있음.

ㆍOverweight : 해당 업종 수익률이 향후 12개월 동안 KOSPI 수익률을 상회할 것으로 예상하는 경우

ㆍNeutral : 해당 업종 수익률이 향후 12개월 동안 KOSPI 수익률과 유사할 것으로 예상하는 경우

ㆍUnderweight : 해당 업종 수익률이 향후 12개월 동안 KOSPI 수익률을 하회할 것으로 예상되는 경우

주) 업종 수익률은 위험을 감안한 수치

종목추천관련 투자등급Compliance Notice


52 Page

최근 2년간 투자등급 및 목표주가 변경내용

일자 2013.1.3 2013.1.16 2013.1.31 2013.2.26 2013.3.11 2013.3.13


목표주가 30,000원 30,000원 30,000원 30,000원 33,000원 33,000원

일자 2013.3.18 2013.3.25 2013.4.1 2013.4.12 2013.4.16 2013.4.25


목표주가 33,000원 35,000원 35,000원 35,000원 35,000원 39,000원

일자 2013.5.2 2013.5.13 2013.5.16 2013.5.27 2013.6.4 2013.6.12


목표주가 39,000원 39,000원 39,000원 41,000원 41,000원 41,000원

일자 2013.6.17 2013.6.26 2013.7.2 2013.7.12 2013.7.16 2013.7.19


목표주가 41,000원 41,000원 41,000원 41,000원 41,000원 41,000원

일자 2013.7.26 2013.8.2 2013.8.16 2013.9.3 2013.9.9 2013.9.26


목표주가 41,000원 41,000원 41,000원 41,000원 41,000원 41,000원

일자 2013.9.30 2013.10.17 2013.10.30 2013.11.18 2013.12.2 2013.12.12


목표주가 41,000원 41,000원 41,000원 41,000원 41,000원 41,000원

일자 2013.12.23 2014.1.3 2014.1.29 2014.2.6 2014.2.7 2014.2.12


목표주가 41,000원 51,000원 51,000원 51,000원 51,000원 51,000원

일자 2014.2.24 2014.3.12 2014.3.24 2014.3.31 2014.4.1 2014.4.11


목표주가 51,000원 51,000원 51,000원 51,000원 51,000원 51,000원

일자 2014.4.15 2014.4.18 2014.4.21 2014.4.25 2014.5.7 2014.5.14


목표주가 51,000원 51,000원 51,000원 54,000원 54,000원 54,000원

일자 2014.5.19 2014.5.26 2014.6.2 2014.6.17 2014.6.25 2014.7.1


목표주가 54,000원 54,000원 54,000원 54,000원 68,000원 68,000원

일자 2014.7.11 2014.7.16 2014.7.25 2014.8.1 2014.8.18 2014.9.29


목표주가 68,000원 68,000원 68,000원 68,000원 68,000원 68,000원

일자 2014.10.6 2014.10.13 2014.10.15 2014.10.23 2014.11.18 2014.12.1


목표주가 68,000원 68,000원 68,000원 68,000원 68,000원 68,000원

일자 2014.12.22 2015.1.6 2015.1.12 2015.1.16 2015.1.22 2015.1.29


목표주가 65,000원 65,000원 65,000원 65,000원 65,000원 59,000원

일자 2015.3.31 2015.4.6 2015.4.20 2015.4.23 2015.5.4 2015.5.11


목표주가 59,000원 59,000원 59,000원 62,000원 62,000원 62,000원

SK하이닉스 (000660)

Jun-12 Feb-13 Oct-13 Jun-14 Feb-15

SK하이닉스 목표주가

0

10,000

20,000

30,000

40,000

50,000

60,000

70,000

80,000 (원)

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